[发明专利]一种高电源抑制比全CMOS基准电压源

权利要求书

1.一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端；

启动电路，帮助基准源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态；

电流源电路，利用工作在亚阈值区MOS管工作特性，产生纳安量级的基准电流；采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声；采用工作在线性区的MOS管代替传统基准电压源中的电阻，为基准电压产生电路提供电流偏置；

温度补偿电路，利用不同的MOS管形成栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压；其特征在于：

电流源电路包括PMOS管M₆、M₇、M₁₁、M₁₂、M₁₅、M₁₆，以及NMOS管M₈、M₉、M₁₀、M₁₃、M₁₄、M₁₇、M₁₈；

PMOS管M₆、M₁₁和M₁₅的源极连接到电源VDD；NMOS管M₁₀、M₁₄、M₁₈的源极连接到地GND；PMOS管M₆的栅极和漏极、PMOS管M₇的源极、PMOS管M₁₁和M₁₅的栅极相连接，形成电流源电路的第一输出端，并与温度补偿电路的第一输入端连接；PMOS管M₇的栅极和漏极与NMOS管M₈的漏极、PMOS管M₁₂和M₁₆的栅极相连接，形成电流源电路的第二输出端，并与温度补偿电路的第二输入端连接；NMOS管M₈的栅极与PMOS管M₁₂的漏极、NMOS管M₁₃的栅极和漏极相连接，形成电流源电路的输入端，并与启动电路的输出端连接；NMOS管M₈的源极与NMOS管M₉的漏极相连接；NMOS管M₉的栅极、NMOS管M₁₄的栅极和漏极与NMOS管M₁₃的源极相连接；NMOS管M₉的源极与NMOS管M₁₀的漏极相连接；NMOS管M₁₀、M₁₇和M₁₈的栅极和NMOS管M₁₇的漏极连接到PMOS管M₁₆的漏极；PMOS管M₁₁的漏极与PMOS管M₁₂的源极相连接；PMOS管M₁₅的漏极与PMOS管M₁₆的源极相连接；NMOS管M₁₇的源极与NMOS管M₁₈的漏极相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，其特征在于：形成栅源电压差的MOS管是1.8V的MOS管和3.3V的MOS管。