[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、有源层、源极和漏极；

其中，所述栅极形成于栅极金属层，所述有源层形成于氧化物半导体层，所述源极和所述漏极形成于源漏金属层，所述源漏金属层位于所述氧化物半导体层远离所述栅极金属层的一侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层相接触；

所述栅极与所述有源层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧；

所述栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；

其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm；

所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ₃的光的折射率为n₁，所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ₃的光的折射率为n₂，1.88≤n₁≤2.15，1.45≤n₂≤1.60；

其中，400nm≤λ₃≤780nm。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为d，所述栅极绝缘层对波长为λ₁的光的折射率为n₁₀，所述栅极绝缘层对波长为λ₂的光的折射率为n₂₀；

对于任意的λ₁，λ₂，满足：

其中，[a]表示不大于a的正整数，或

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为d，所述栅极绝缘层对波长为λ₁的光的折射率为n₁₀，所述栅极绝缘层对波长为λ₂的光的折射率为n₂₀；

对于任意的λ₁，λ₂，满足：

其中，[b]表示不大于b的正整数，或

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ₁的光的折射率大于所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ₁的光的折射率；

所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ₂的光的折射率大于所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ₂的光的折射率。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；

所述第二栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为的λ₂的光的透过率。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为d₁，所述第一栅极绝缘层对波长为λ₁的光的折射率为n₁₁，所述第一栅极绝缘层对波长为λ₂的光的折射率为n₁₂；

对于任意的λ₁，λ₂，满足：

其中，[x]表示不大于x的正整数，或