[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及显示面板

说明书

本申请公开了薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。薄膜晶体管的一具体实施方式包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，栅极形成于栅极金属层，有源层形成于氧化物半导体层，源极和漏极形成于源漏金属层，源漏金属层位于氧化物半导体层远离栅极金属层的一侧，且源极和漏极与有源层相接触；栅极与有源层之间设有栅极绝缘层；栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。采用本申请的方案，可以提升薄膜晶体管的稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示屏具有亮度高、功耗低、寿命长等优点，被广泛应用于显示领域。TFT通常包括用于提供载流子的有源层。在TFT的栅极接收电压信号时，载流子在有源层的沟道内发生迁移。

现有的一种TFT采用氧化物半导体(例如铟镓锌氧化物)作为有源层材料，这种材料具有较高的载流子迁移率。但由于氧化物半导体对可见光波段的蓝紫光较为敏感，当蓝紫光由背光源提供的射入TFT的有源层时，TFT的稳定性下降，从而影响了显示效果。

发明内容

为了解决上述背景技术部分提到的一个或多个技术问题，本申请提供了薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。

一方面，本申请提供了一种薄膜晶体管，包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，栅极形成于栅极金属层，有源层形成于氧化物半导体层，源极和漏极形成于源漏金属层，源漏金属层位于氧化物半导体层远离栅极金属层的一侧，且源极和漏极与有源层相接触；栅极与有源层之间设有栅极绝缘层；栅极绝缘层对任意波长为λ₁的光的透过率低于对任意波长为λ₂的光的透过率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。

第二方面，本申请提供了一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。

第三方面，本申请提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

本申请提供的薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，栅极绝缘层对蓝紫光波段的光的透过率低于对其他波段可见光的透过率，使得入射至薄膜晶体管的有源层的蓝紫光的光强下降，从而提升了薄膜晶体管的稳定性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据本申请的薄膜晶体管的一个实施例的结构示意图；

图2是光线传输至图1所示薄膜晶体管中的有源层的路径示意图；

图3是根据本申请的薄膜晶体管的另一个实施例的结构示意图；

图4是光线传输至图3所示薄膜晶体管中的有源层的路径示意图；

图5是本申请实施例的一种薄膜晶体管的透过率频谱仿真曲线；

图6是根据本申请的阵列基板的一个实施例的结构示意图；

图7是根据本申请的显示面板的一个实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。