[发明专利]形成用于心轴及非心轴互连线的自对准连续性区块的方法

权利要求书

1.一种方法，包含：

提供一结构，其具有第一光刻堆叠、心轴层及设置于介电堆叠上面的图案层；

图案化该结构以在该心轴层中形成数个心轴；

设置间隔体层于该心轴上面；

蚀刻该间隔体层以形成设置于该心轴的侧壁上的数个间隔体，该间隔体及该心轴界定正交地延伸穿过该介电堆叠的贝塔及伽马区域，贝塔区域包括贝塔区块掩模部以及伽马区域包括该图案层的伽马区块掩模部；

蚀刻在该贝塔区块掩模部上面的贝塔柱体掩模，该贝塔柱体掩模不在任何毗邻贝塔区域上面延伸；

蚀刻在该伽马区块掩模部上面的伽马柱体掩模，该伽马柱体掩模不在任何毗邻伽马区域上面延伸；以及

蚀刻该结构以在该图案层中形成一图案，该图案包括该伽马及贝塔区块掩模部。

2.如权利要求1所述的方法，其包含：

该贝塔区域延伸穿过该心轴，以及

该伽马区域延伸穿过该图案层中没有任何上覆间隔体及心轴的部分。

3.如权利要求2所述的方法，其包含：

该贝塔区域具有等于心轴宽度的宽度；以及

该伽马区域的宽度等于该心轴之间的距离减去两倍的间隔体宽度。

4.如权利要求1所述的方法，其包含：

设置由数层组成的第二光刻堆叠于该结构上面，该第二光刻堆叠包括作为顶层的光阻层与作为底层的旋涂硬掩模(SOH)层；

图案化该伽马柱体掩模于该光阻层中；

通过该SOH层非等向性蚀刻该光刻堆叠以形成该伽马柱体掩模于该SOH层中，以及暴露该图案层在数个伽马区域中不被该伽马柱体掩模覆盖的部分；以及

选择性蚀刻该图案层暴露部分以形成该图案的数个伽马互连线位置。

5.如权利要求4所述的方法，其包含：移除该伽马柱体掩模以暴露该图案的该伽马区块掩模部。

6.如权利要求5所述的方法，其包含：

设置由数层组成的第三光刻堆叠于该结构上面，该第三光刻堆叠包括作为顶层的光阻层与作为底层的旋涂硬掩模(SOH)层；

图案化该贝塔柱体掩模于该光阻层中；

通过该SOH层非等向性蚀刻该第三光刻堆叠以形成该贝塔柱体掩模于该SOH层中，该贝塔柱体掩模设置于在贝塔区域中的心轴上面，其中，该心轴重叠该图案的该贝塔区块掩模部；以及

非等向性蚀刻该SOH层以暴露该心轴的正面而不暴露在该伽马区域中的该图案层。

7.如权利要求6所述的方法，其包含：选择性蚀刻去掉该贝塔区域的该心轴以暴露在该贝塔区域中的该图案层。

8.如权利要求7所述的方法，其包含：选择性蚀刻在该贝塔区域中的该图案层的暴露部分以在该图案中形成数个贝塔互连线位置。

9.如权利要求8所述的方法，其包含：蚀刻去掉该贝塔柱体掩模和该SOH层的其余部分以完全暴露该图案。

10.如权利要求9所述的方法，其包含：

蚀刻该图案以：

各自在该介电堆叠的该伽马及贝塔区域中形成数个伽马及贝塔线沟槽，

形成从该图案的该贝塔区块掩模部越过贝塔线沟槽的贝塔介电区块，以及

形成从该图案的该伽马区块掩模部越过伽马线沟槽的伽马介电区块；以及

设置金属于该伽马及贝塔线沟槽中以形成由数条交替平行的伽马及贝塔互连线组成的阵列；

其中，该贝塔介电区块延伸越过贝塔互连线而不伸入伽马互连线，以及该伽马介电区块延伸越过伽马互连线而不伸入贝塔互连线。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该心轴具有100纳米或更小的间距。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该间隔体具有等于该心轴的该间距的一半的间距。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该间隔体具有等于50纳米或更小的间距。

14.如权利要求1所述的方法，其中，该心轴层、图案掩模层及间隔体层由不同的材料构成。

15.如权利要求14所述的方法，其中，该心轴层、图案层及间隔体层由氮化钛、非晶硅及氧化硅中的一者构成。