[发明专利]相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种相移掩模坯板，其特征在于，

所述相移掩模坯板是相移掩模的原版，所述相移掩模是在透明基板上将相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜分别通过湿法蚀刻进行构图，形成包含遮光部、相移部、透光部的转印图案而制成的相移掩模，所述相移掩模使透过所述相移部的光的相位和透过所述透光部的光的相位不同，由此使通过所述相移部和所述透光部的边界部附近的光相互抵消而提高边界部的对比度，

所述相移掩模坯板中，在所述透明基板上依次形成有相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜，

所述相移膜由含有铬和选自氧、氮、碳、氟中的至少一种的铬化合物构成，

所述相移膜的膜厚为80nm以上180nm以下，

所述蚀刻阻止膜是含有金属和硅的金属硅化物中的金属硅化物的氮化物、金属硅化物的氧氮化物、金属硅化物的碳氮化物或金属硅化物的氧碳氮化物，氮的含量为20原子％以上50原子％以下，

所述蚀刻阻止膜的膜厚为5nm以上75nm以下，

所述蚀刻阻止膜中的所述金属和所述硅的比例为金属:硅＝1:2以上1:9以下，

所述遮光膜的材料使用含有铬、铬氧化物、铬氮化物、铬碳化物、铬氧氮化物、铬氮碳化物、铬氧碳化物、铬氧氮碳化物中的任意种的材料，所述遮光膜的膜厚为50nm以上200nm以下，

所述相移膜和所述遮光膜是能够用同一蚀刻液A进行蚀刻的材料，且调整为所述蚀刻液A对所述遮光膜的湿法蚀刻速度比所述蚀刻液A对所述相移膜的湿法蚀刻速度更快，所述蚀刻液A是硝酸铈铵和高氯酸的混合水溶液，

所述蚀刻阻止膜是对于所述遮光膜的所述蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整所述蚀刻阻止膜的膜厚、材料、组成比，以使所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为15分钟以下，所述蚀刻液B是含有选自氢氟酸、氟硅酸及氟氢化铵中的至少一种氟化合物和选自过氧化氢、硝酸及硫酸中的至少一种氧化剂的蚀刻液，或者是含有过氧化氢、氟化铵和选自磷酸、硫酸及硝酸中的至少一种氧化剂的蚀刻液。

2.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，

所述蚀刻阻止膜是对于所述遮光膜的蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整所述蚀刻阻止膜的膜厚、材料、组成比，以使所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为10分钟以下。

3.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，

所述蚀刻阻止膜中的所述氮的含量为25原子％以上45原子％以下。

4.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，

所述蚀刻液A对所述遮光膜的湿法蚀刻速度为所述蚀刻液A对所述相移膜的湿法蚀刻速度的1.5～5倍。

5.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，

所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间为10秒以上。

6.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，

所述相移掩模坯板的一边的长度为300mm以上。

7.一种相移掩模的制造方法，其特征在于，包括：

在权利要求1～6中任一项所述的相移掩模坯板上形成抗蚀剂膜的工序；

对所述抗蚀剂膜进行规定图案的描绘、显影处理，形成抗蚀剂图案的工序；

以所述抗蚀剂图案为掩模将所述遮光膜利用所述蚀刻液A进行湿法蚀刻，形成临时遮光膜图案的工序；

以所述临时遮光膜图案为掩模将所述蚀刻阻止膜利用所述蚀刻液B进行湿法蚀刻，形成临时蚀刻阻止膜图案的工序；

以所述临时蚀刻阻止膜图案为掩模将所述相移膜利用所述蚀刻液A进行湿法蚀刻，形成由相移膜图案构成的相移部，并对所述临时遮光膜图案进行侧向蚀刻而形成遮光膜图案的工序；

以所述遮光膜图案为掩模，将所述蚀刻阻止膜利用所述蚀刻液B进行湿法蚀刻而形成蚀刻阻止膜图案，在所述相移膜图案上形成由所述蚀刻阻止膜图案和所述遮光膜图案构成的遮光部的工序；

除去所述抗蚀剂图案的工序。