[发明专利]相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法

说明书

本发明提供一种相移掩模坯板，抑制制作相移掩模时的蚀刻液的消耗量，且用于得到精细且高精度的图案和不产生凹缺陷的相移掩模。相移掩模坯板(10)在透明基板(11)上将相移膜(12)、蚀刻阻止膜(13)、遮光膜(14)依次形成，相移膜(12)由含有铬和选自氧、氮、碳、氟中的至少一种的铬化合物构成，蚀刻阻止膜(13)由含有金属和硅的金属硅化物构成，相移膜(12)和遮光膜(14)是能够用同一蚀刻液A进行蚀刻的材料，且调整为蚀刻液A对遮光膜(14)的湿法蚀刻速度比蚀刻液A对相移膜(12)的湿法蚀刻速度更快，蚀刻阻止膜(13)是对于遮光膜(14)的蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整蚀刻阻止膜(13)的膜厚、材料、组成比，以使蚀刻阻止膜(13)被能够蚀刻蚀刻阻止膜(13)的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为15分钟以下。

技术领域

本发明涉及相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法。

背景技术

目前，液晶显示装置采用VA(Vertical alignment)方式或IPS(In Plan eSwitching)方式等。通过采用这些方式，期望明亮且省电，并且实现高精细、高速显示、广视角等的显示性能的提高。

例如，在采用了这些方式的液晶显示装置中对像素电极应用形成线－间隔图案(line and space pattern)状的透明导电膜，为了提高显示装置的显示性能，期望这样的图案越来越精细。例如，期望将线－间隔图案的间距宽度P(线宽L和间隔宽度S的合计)从6μm向5μm缩小，进一步从5μm向4μm缩小。在该情况下，线宽L、间隔宽度S中的至少一项低于3μm的情况较多。例如，L＜3μm、或L≦2μm、或S＜3μm、或S≦2μm情况不少。

另一方面，就液晶显示装置或EL(electroluminescence)显示装置所使用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)而言，在构成TFT的多个图案中，形成于钝化层(绝缘层)的接触孔贯穿绝缘层，与处于绝缘层的下层侧的连接部导通。此时，如果未能使上层侧和下层侧的图案精确地定位且未能可靠地形成接触孔的形状，就不能保证显示装置的正确工作。

而且，在此，除了提高显示性能，还需要使器件图案高度集成，所以要求图案的精细化。即，孔图案的直径也需要小于3μm。例如，需要直径为2.5μm以下的孔图案，进一步地，需要直径为2.0μm以下的孔图案，而且认为在不久的将来，还期望具有1.5μm以下直径的图案形成。

基于这种背景，能够与线－间隔图案或接触孔的精细化对应的显示装置制造用光掩模的需求日益高涨。

但是，在半导体(LSI(Large－Scale Integration)等)制造用光掩模的领域中，为了得到分辨率，以往开发过与高NA(Numerical Aperture)(例如0.2以上)的光学系统一起利用相移作用的相移掩模。相移掩模与单一波长的、波长较短的光源(KrF或ArF的准分子激光等)一起使用。由此，应对各种元件等的高集成化及伴随高集成化的光掩模图案的精细化。

另一方面，在显示装置制造用光刻领域中，为了提高分辨率及增大焦点深度，通常不采用上述方法。原因是，对于显示装置，并不要求像半导体制造领域那样高的图案集成度及精细程度。实际上，搭载于显示装置制造用的曝光装置(通常作为LCD(Liquid CrystalDisplay)曝光装置或液晶曝光装置等而已知)的光学系统及光源也与半导体制造用的不同，与分辨率及焦点深度相比，更重视生产效率(例如，扩大光源的波长区域，从而得到较大的照射光量，缩短生产节拍时间等)。

当将光掩模的转印用图案精细化时，将该图案精确地转印至被转印体(要蚀刻加工的薄膜等也称为被加工体)的工序的实施变得困难。这是由于，显示装置的制造中实际用于转印工序的上述曝光装置的分辨率极限为3μm左右，但如上所述，在显示装置所需的转印用图案中，CD(Critical Dimension：线宽)尺寸已经接近或小于该数值。