[发明专利]芯片表面的清洗方法在审
| 申请号： | 201710173274.4 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108630522A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 何小麟 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 清洗 芯片表面 超声波 柠檬酸溶液 碱性溶液 去离子水 使用寿命 漂洗 混合液 异丙醇 去除 腐蚀 | ||
1.一种芯片表面的清洗方法，依次包括以下步骤：
芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；
该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；
该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及
用去离子水漂洗该芯片。
2.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：在用去离子水漂洗该芯片的步骤之后还包括：在所述去离子水中加入碳氢溶剂进行清洗。
3.如权利要求2所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：加入碳氢溶剂进行清洗的步骤之后还包括：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥。
4.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：在芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗的步骤之前还包括：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度。
5.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：超声波的功率为20W～30W,频率为40KHz～50KHz。
6.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述碱性溶液的温度为80～90度，在所述碱性溶液中的清洗时间为50～10分钟。
7.如权利要求6所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述碱性溶液为浓度为2％～5％的氢氧化钠溶液。
8.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：用去离子水漂洗该芯片的漂洗时间为20～30分钟。
9.如权利要求1所述的芯片表面的清洗方法，其特征在于：所述柠檬酸溶液的pH值为5～6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
