[发明专利]芯片表面的清洗方法

说明书

本发明的芯片表面的清洗方法，依次包括：芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及用去离子水漂洗该芯片。该方法能高效去除芯片表面上的残留物，防止对芯片造成腐蚀，从而提高芯片的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体芯片清洗领域，尤其涉及一种芯片表面的清洗方法。

背景技术

随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路芯片制造工艺中所要求的芯片表面的洁净度越来越高，为了保证芯片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工艺。

传统的清洗方式是利用去离子水冲洗芯片，这种方式中，去离子水以很高的流量冲击芯片，将芯片上的杂质和污染物冲走，从而达到清洗效果。但是这种清洗方法对芯片的冲击力过大，容易造成元件图案的损坏，并且这种清洗方式的去离子水的利用率低，导致资源浪费。另一种清洗方式是采用盐酸或氢氟酸进行浸泡清洗，然而，此种清洗方法的清洗效果不佳，表面残留的溶液会对芯片表面造成腐蚀。

故此，亟需一种改进的芯片表面的清洗方法，以克服以上的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片表面的清洗方法，其能高效去除芯片表面上的残留物，防止对芯片造成腐蚀，从而提高芯片的使用寿命。

为实现上述目的，本发明的芯片表面的清洗方法，依次包括以下步骤：

与现有技术相比，本发明的芯片表面的清洗方法依次采用碱性溶液、异丙醇和水的混合溶液、柠檬酸溶液以及去离子水进行清洗，而且在清洗过程中采用超声波清洗技术，在超声波振荡的辅助作用下可有效去除残留物以及损伤层，清洗效果更好，表面洁净度大为提高，使用寿命得以延长。

较佳地，在用去离子水漂洗该芯片的步骤之后还包括：在所述去离子水中加入碳氢溶剂进行清洗。

较佳地，加入碳氢溶剂进行清洗的步骤之后还包括：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥。

较佳地，在芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗的步骤之前还包括：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度。

较佳地，超声波的功率为20W～30W,频率为40KHz～50KHz。

较佳地，所述碱性溶液的温度为80～90度，在所述碱性溶液中的清洗时间为50～10分钟。

较佳地，所述碱性溶液为浓度为2％～5％的氢氧化钠溶液。

较佳地，用去离子水漂洗该芯片的漂洗时间为20～30分钟。

较佳地，所述柠檬酸溶液的pH值为5～6。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的芯片表面的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。

本发明的芯片表面的清洗方法的一个实施例依次包括以下步骤：

芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；

该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；

该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及

用去离子水漂洗该芯片。

本发明的芯片表面的清洗方法依次采用碱性溶液、异丙醇和水的混合溶液、柠檬酸溶液以及去离子水进行清洗，而且在清洗过程中采用超声波清洗技术，在超声波振荡的辅助作用下可有效去除残留物以及损伤层，清洗效果更好，表面洁净度大为提高，使用寿命得以延长。

在另一实施例中，该芯片表面的清洗方法依次包括以下步骤：