[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有半导体层，所述半导体层暴露出部分基底；

对部分基底进行绝缘处理形成氧化层，未形成氧化层的基底形成衬底，所述氧化层位于所述衬底与半导体层之间，

所述绝缘处理的步骤包括：形成覆盖所述半导体层侧壁的侧墙；在所述半导体层暴露出的基底中形成凹槽，且所述凹槽侧壁与所述基底表面之间具有钝角夹角；通过离子注入在所述凹槽侧壁的基底中注入钝化离子，形成覆盖所述凹槽侧壁的保护层；形成所述保护层之后，对部分基底进行氧化处理形成所述氧化层，未被氧化的基底形成衬底；

所述绝缘处理之后，在所述半导体层中形成导电掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底和半导体层的步骤包括：提供初始基底，所述初始基底包括基底区和位于所述基底区上的器件区；对所述器件区初始基底进行刻蚀，在所述器件区形成半导体层，并在所述基底区形成基底。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化离子包括：氮离子、碳离子和氟离子中的一种或多种组合。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入的工艺参数包括：所述钝化离子的剂量为5E13atoms/cm²～5E14atoms/cm²；注入能量为4KeV～20KeV；注入角度小于35度。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底用于接电压。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的工艺包括各向异性干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入之后，形成所述保护层的步骤还包括：对所述衬底进行退火处理。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽顶部沿垂直于所述凹槽延伸方向上的尺寸为20nm～60nm；所述半导体层在垂直于所述半导体层延伸方向上的尺寸为10nm～60nm。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅或氮氧化硅；所述侧墙的厚度为4nm～8nm。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘处理之后，还包括：在所述半导体层两侧的衬底中形成隔离层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成导电掺杂区之前，还包括：在所述半导体层中形成阱区；在所述阱区上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述半导体层，所述导电掺杂区位于所述栅极结构两侧的阱区中；

或者，所述导电掺杂区包括：N型掺杂区和P型掺杂区，N型掺杂区与P型掺杂区接触；形成所述导电掺杂区的步骤包括：在所述半导体层中形成N型掺杂区和P型掺杂区，所述N型掺杂区和P型掺杂区接触。

13.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有半导体层，所述半导体层暴露出部分衬底；位于所述衬底与所述半导体层之间的氧化层；

位于所述衬底内的凹槽，且所述凹槽侧壁与所述衬底表面之间具有钝角夹角；位于所述半导体层两侧衬底中的隔离层；

位于所述隔离层与所述衬底之间的保护层，且所述保护层位于所述凹槽侧壁表面；

位于所述半导体层中的导电掺杂区。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层中具有钝化离子，所述钝化离子包括氮离子、碳离子和氟离子中的一种或多种组合。