[发明专利]存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201710173311.1 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107610732B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 元炯植 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/403;G11C7/12;G11C7/10;G11C5/02 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 任静;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器件,包括:
单元阵列,所述单元阵列包括主区域和相邻区域,多个主存储单元设置在所述主区域中,且多个相邻存储单元设置在所述相邻区域中;
控制电路,所述控制电路适用于控制所述单元阵列的行操作和列操作;以及
相邻区域控制器,所述相邻区域控制器适用于控制所述多个相邻存储单元,使得所述多个相邻存储单元在与所述多个主存储单元不同的条件下来操作,
其中,所述多个相邻存储单元与所述控制电路相邻设置,并且所述相邻区域控制器储存所述多个相邻存储单元的地址。
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元,使得所述多个相邻存储单元以比所述多个主存储单元更高的频率来刷新。
3.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元,使得所述多个相邻存储单元在比所述多个主存储单元更晚的时间点处开始被感测。
4.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个相邻存储单元,使得所述多个相邻存储单元的写入操作相比所述多个主存储单元的写入操作而在更早的时间点处开始或者执行更长的时间。
5.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述单元阵列包括:
多个字线;以及
多个位线。
6.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个字线之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的一个或更多个字线,使得在刷新操作期间,所述一个或更多个字线被驱动到比主区域字线更高的电压。
7.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个字线之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的一个或更多个字线,使得在刷新操作期间所述一个或更多个字线在比主区域字线更早的时间点处开始被驱动。
8.一种存储器件,包括:
单元阵列,所述单元阵列包括以矩阵形状布置的多个子单元阵列;
控制电路,所述控制电路适用于控制所述单元阵列的行操作和列操作;以及
相邻区域控制器,所述相邻区域控制器适用于控制所述多个子单元阵列之中布置在与所述控制电路相邻的区域中的子单元阵列中所包括的存储单元的全部或部分,使得所述存储单元的全部或部分在与包括在其它子单元阵列中的存储单元不同的条件下来操作,
其中,所述相邻区域控制器储存布置在与所述控制电路相邻的区域中的子单元阵列中所包括的存储单元的地址。
9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述多个子单元阵列中的每个子单元阵列包括:
多个子字线;以及
多个位线。
10.根据权利要求9所述的存储器件,其中,所述控制电路包括:
行控制单元,所述行控制单元适用于控制所述单元阵列的行操作;以及
列控制单元,所述列控制单元适用于控制所述单元阵列的列操作。
11.根据权利要求10所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个子单元阵列之中与所述控制电路相邻的一个或更多个子单元阵列的多个子字线的全部或部分,使得所述多个子字线的全部或部分以比其它子字线更高的频率来刷新。
12.根据权利要求10所述的存储器件,其中,所述相邻区域控制器控制所述多个子单元阵列之中与所述控制电路相邻的一个或更多个子单元阵列的多个子字线的全部或部分,使得在刷新操作期间所述多个子字线的全部或部分被驱动到比其它子字线更高的电压。
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