[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一导电部件上形成一介电层；

在该介电层上形成一第一掩模；

将该第一掩模图案化以在该第一掩模内形成一第一开口；

在该第一掩模上形成一第二掩模；

在该第二掩模上形成一第三掩模；

将该第三掩模图案化以在该第三掩模内形成一第二开口；

在该第三掩模上形成一第四掩模堆叠；

将该第四掩模堆叠图案化以在该第四掩模堆叠的一顶层内形成一第三开口，该第三开口与该第二开口以该第四掩模堆叠的一底层及一中间层相隔，在俯视图中，该第三开口的一部分与该第二开口重叠；

将该第三开口的该部分转移至该第二掩模，藉此在该第二掩模内形成一第四开口，在俯视图中，该第四开口的一部分与该第一开口重叠；

将该第四开口的该部分转移至该介电层，藉此在该介电层内形成一第五开口，该第五开口的底部在该介电层中；

将该第五开口延伸至该介电层内，藉此形成一延伸的第五开口，该延伸的第五开口暴露出该导电部件的至少一部分；以及

将一导电材料填入该延伸的第五开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第五开口的一第一宽度等于该第一开口的宽度，且其中该第五开口的一第二宽度等于该第二开口的宽度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第四开口暴露出该第一掩模的至少一部分。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中将该第五开口延伸至该介电层内的步骤更包括将该第一开口转移至该介电层内，藉此在该介电层内形成一第六开口。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中将该导电材料填入该延伸的第五开口的步骤更包括将该导电材料填入该第六开口。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第三开口的宽度大于该第一开口的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第三开口的宽度大于该第二开口的宽度。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一金属化层上形成一介电层；

在该介电层上形成一第一掩模；

蚀刻该第一掩模以在该第一掩模内形成一第一开口；

在该第一掩模上形成一第二掩模；

在该第二掩模上形成一第三掩模；

蚀刻该第三掩模以在该第三掩模内形成一第二开口，在俯视图中，该第一开口与该第二开口重叠；

在该第三掩模上形成一第四掩模堆叠，该第四掩模堆叠的一顶层具有一第三开口在其中，该第三开口与该第二开口以该第四掩模堆叠的一底层及一中间层相隔，在俯视图中，该第三开口的一部分与该第二开口重叠；

蚀刻该第二掩模以将该第三开口的该部分转移至该第二掩模，藉此在该第二掩模内形成一第四开口，在俯视图中，该第四开口的一部分与该第一开口重叠；

使用该第一掩模和该第二掩模作为组合的蚀刻掩模，蚀刻该介电层以在该介电层内形成一第五开口，该第五开口的底部在该介电层的最底面上方；

使用该第一掩模作为蚀刻掩模，蚀刻该介电层以在该介电层内形成一第六开口，且将该第五开口延伸并在该介电层内形成一延伸的第五开口，该延伸的第五开口暴露出该金属化层的一导电部件；以及

将一导电材料填入该延伸的第五开口和该第六开口。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第五开口的宽度等于该第六开口的宽度。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该延伸的第五开口的宽度随着该延伸的第五开口往该导电部件延伸而缩小。

11.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该延伸的第五开口的俯视形状随着该延伸的第五开口往该导电部件延伸而改变。