[发明专利]芯片的形成方法在审
| 申请号： | 201710173741.3 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108630599A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 马岳 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 芯片 沟道 第二表面 第一表面 蚀刻 厚度相等 晶片碎裂 良品率 蚀刻液 切割 保证 | ||
1.一种芯片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；
由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及
采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。
2.如权利要求1所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述晶圆由所述第一表面至所述第二表面依次形成有钝化层、金属层、阻挡层以及氧化层，其中由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道的步骤中，所述沟道的深度适于暴露所述钝化层。
3.如权利要求2所述的芯片的形成方法，其特征在于，还包括：采用第一蚀刻液对所述钝化层进行蚀刻直至暴露所述金属层。
4.如权利要求3所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第一蚀刻液包括硫酸、硝酸钾以及氟化氢铵。
5.如权利要求3所述的芯片的形成方法，其特征在于，还包括：采用第二蚀刻液对所述金属层进行蚀刻直至暴露所述阻挡层。
6.如权利要求5所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第二蚀刻液包括氢氧化钾。
7.如权利要求5所述的芯片的形成方法，其特征在于，还包括：采用第三蚀刻液对所述阻挡层进行蚀刻直至暴露所述氧化层。
8.如权利要求7所述的芯片的形成方法，其特征在于：所述第三蚀刻液包括氢氧化铵以及双氧水。
9.如权利要求7所述的芯片的形成方法，其特征在于，还包括：采用第四蚀刻液对所述氧化层进行蚀刻直至所述沟道的深度等于所述晶圆的厚度。
10.如权利要求1所述的芯片的形成方法，其特征在于：采用激光束由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成所述沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
