[发明专利]芯片的形成方法

说明书

本发明的芯片的形成方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。本发明其可避免芯片在形成过程中造成晶片碎裂，从而保证芯片的良品率。

技术领域

本发明涉及芯片的形成方法，尤其涉及一种将半导体晶圆分割成多个芯片的方法。

背景技术

在半导体晶圆处理中，集成电路形成在由硅或其它半导体材料组成的晶圆(亦称作基板)上。通常，各种半导体、导体或绝缘材料层用于形成集成电路。利用各种已知工艺来掺杂、沉积及蚀刻该等材料，以形成集成电路。各晶圆经处理而形成大量个别区域，区域含有称为晶粒的集成电路。

在集成电路形成工艺后，“切割”晶圆，以将个别晶粒彼此分开供封装或以未封装形式用于较大电路内。在现有的晶片切割方法中一般包括晶圆薄化、晶圆切割以及芯片分离等步骤。首先，将晶片背面采用磨轮研磨后使其变薄，再在有源面进行贴膜，之后再进行切割的动作以分离成多个芯片及芯片贴膜。常见的切割方法是采用物理方式，例如以刀具锯切。实行锯切时，每分钟高转速旋转的钻石尖端锯子接触晶圆表面及沿着切割道锯切晶圆。然而，物理锯切的很大一个问题是容易造成晶片碎裂，从而造成内部线路的断裂导致集成电路无效。

故此，亟需一种改进的芯片的形成方法，以克服以上的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片的形成方法，其可避免芯片在形成过程中造成晶片碎裂，从而保证芯片的良品率。

为实现上述目的，本发明的芯片的形成方法包括以下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；

由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道，所述沟通的深度小于所述晶圆的厚度；以及

采用蚀刻液沿所述沟道对所述晶圆进行蚀刻以使所述沟道的深度逐渐加大直至与所述晶圆的厚度相等，从而分离形成多个芯片。

与现有技术相比，本发明芯片形成方法首先在晶圆的表面形成深度小于晶圆厚度的沟道，继而采用蚀刻的方法对沟道上的层体逐一蚀刻移除进而分离形成多个独立的芯片，本发明避免传统的物理切割中刀片旋转产生的晶圆碎裂，同时减少晶圆的内部应力，减少其形变，从而保证芯片的良品率。

较佳地，所述晶圆由所述第一表面至所述第二表面依次形成有钝化层、金属层、阻挡层以及氧化层，其中由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成若干沟道的步骤中，所述沟道的深度适于暴露所述钝化层。

较佳地，采用第一蚀刻液对所述钝化层进行蚀刻直至暴露所述金属层。

较佳地，所述第一蚀刻液包括硫酸、硝酸钾以及氟化氢铵。

较佳地，采用第二蚀刻液对所述金属层进行蚀刻直至暴露所述阻挡层。

较佳地，所述第二蚀刻液包括氢氧化钾。

较佳地，采用第三蚀刻液对所述阻挡层进行蚀刻直至暴露所述氧化层。

较佳地，所述第三蚀刻液包括氢氧化铵以及双氧水。

较佳地，采用第四蚀刻液对所述氧化层进行蚀刻直至所述沟道的深度等于所述晶圆的厚度。

较佳地，采用激光束由所述第一表面向所述第二表面进行切割形成所述沟道。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的芯片的形成方法作进一步说明，但不因此限制本发明。

本发明的芯片的形成方法的一个实施例包括以下步骤：