[发明专利]一种检验NandFlash质量的方法及系统在审
| 申请号： | 201710174028.0 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106971757A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;李振华;叶欣 | 申请（专利权）人： | 惠州佰维存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/38 | 分类号： | G11C29/38 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检验 nandflash 质量 方法 系统 | ||
1.一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，包括：
S1、校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息，获得校验不合格的内存块的编号；
S2、根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表；
S3、存储预设第一数据至所述内存块；
S4、读取所述内存块内数据得到第二数据；
S5、将所述第一数据与所述第二数据比对，获得比对不同的内存块的编号；
S6、根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表；
S7、若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同，则确定所述Nand Flash为不合格。
2.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，还包括：
为所述内存块的每一页的预设位置设置冗余信息。
3.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，所述S3之前，还包括：
擦除所述内存块的数据。
4.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，还包括：
存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
5.根据权利要求1所述一种检验Nand Flash质量的方法，其特征在于，还包括：
为所述内存块划分预设个数页。
6.一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，包括：
校验模块，用于校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息，获得校验不合格的内存块的编号；
第一创建模块，用于根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表；
第一存储模块，用于存储预设第一数据至所述内存块；
读取模块，用于读取所述内存块内数据得到第二数据；
比对模块，用于将所述第一数据与所述第二数据比对，获得比对不同的内存块的编号；
第二创建模块，用于根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表；
确定模块，用于若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同，则确定所述Nand Flash为不合格。
7.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
设置模块，用于为所述内存块的每一页的预设位置设置冗余信息。
8.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
擦除模块，用于擦除所述内存块的数据。
9.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
第二存储模块，用于存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述Nand Flash内的内存块。
10.根据权利要求6所述一种检验Nand Flash质量的系统，其特征在于，还包括：
划分模块，用于为所述内存块划分预设个数页。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州佰维存储科技有限公司，未经惠州佰维存储科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710174028.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
