[发明专利]一种检验NandFlash质量的方法及系统在审

专利信息
申请号: 201710174028.0 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN106971757A 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;李振华;叶欣 申请(专利权)人: 惠州佰维存储科技有限公司
主分类号: G11C29/38 分类号: G11C29/38
代理公司: 深圳市博锐专利事务所44275 代理人: 张明
地址: 516000 广东省惠州市仲恺高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 检验 nandflash 质量 方法 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及Nand Flash质量检验领域,特别涉及一种检验Nand Flash质量的方法及系统。

背景技术

现在绝大多数数码产品都会用到存储设备,在数码产品越来越广泛的情况下,存储设备的稳定性和安全性是保证了数码产品数据的正确性和系统的稳定性的重要因素。

但是,在生产过程中难免会产生不稳定或不安全的存储设备。所以,找出存储设备Nand Flash的不稳定的因素,在存储设备Nand Flash投入到下一步制造流程前,对存储设备进行精确的检验,并将检验结果准确的反馈给数码设备,是使数码设备使用更稳定,寿命更长的一种有效方式。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:准确的判断Nand Flash的质量情况。

校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;

根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;

存储预设第一数据至所述内存块;

读取所述内存块内数据得到第二数据;

将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;

根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;

若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同,则确定所述Nand Flash为不合格。

本发明另提供一种检验Nand Flash质量的系统,包括:

校验模块,用于校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;

第一创建模块,用于根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;

第一存储模块,用于存储预设第一数据至所述内存块;

读取模块,用于读取所述内存块内数据得到第二数据;

比对模块,用于将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;

第二创建模块,用于根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;

确定模块,用于若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同,则确定所述Nand Flash为不合格。

本发明的有益效果在于:通过两次的检验,第一次通过检验内存块每页的冗余信息来确定内存块是否存在质量问题,第二次通过数据的输入和读取来检验,比对两次检验得到的内存块情况来对Nand Flash的质量状况做出一个全面且准确的评价,确保最终出厂Nand Flash在不会存在严重的质量问题,不会对严重影响数码设备其他部件的运行。

附图说明

图1为本发明一种检验Nand Flash质量的方法具体实施方式的流程框图;

图2为本发明一种检验Nand Flash质量的系统具体实施方式的系统框图;

图3为本发明一种检验Nand Flash质量的系统具体实施方式的系统框图;

标号说明:

1、校验模块;2、第一创建模块;3、第一存储模块;4、读取模块;

5、比对模块;6、第二创建模块;7、确定模块;8、设置模块;

9、擦除模块;10、第二存储模块;11、划分模块。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于:第一次通过检验内存块每页的冗余信息来确定内存块的质量,第二次对每个内存块进行读取数据操作来确定内存块的质量,比对两次检验的得到的内存块的质量情况来确定Nand Flash的质量。

请参照图1-图3,

如图1所示,本发明提供一种检验Nand Flash质量的方法:

校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;

根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;

存储预设第一数据至所述内存块;

读取所述内存块内数据得到第二数据;

将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;

根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;

若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同,则确定所述Nand Flash为不合格。

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