[发明专利]激光晶化装置及方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月23日向韩国专利局递交的韩国专利申请第10-2016-0034766号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种激光晶化装置。更具体地，本发明涉及一种激光晶化装置和一种激光晶化方法。

背景技术

包括半导体层的薄膜晶体管(TFT)设置在有源矩阵显示装置的像素处。有源矩阵显示装置的示例包括有机发光二极管(OLED)显示装置和液晶显示(LCD)装置。半导体层可包括非晶硅或多晶硅。多晶硅可具有高的迁移率并且可包含在OLED显示装置中，以用于根据流过各OLED的电流而控制各OLED中发射层的亮度。

多晶硅可通过用激光束照射非晶硅层并且对非晶硅层进行退火处理而形成。可使用激光晶化装置来形成多晶硅。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，一种激光晶化装置，包括：激光振荡器、工作台和反射单元。工作台被配置为支撑基底，基底上设置有目标膜。激光振荡器被配置为将入射激光束照射到目标膜上。工作台被配置为移动基底，使得入射激光束扫描目标膜。入射激光束从目标膜反射以生成反射激光束。反射单元包括定位在反射激光束的路径处的至少两个反射镜。反射单元被配置为经由与入射激光束的路径不同的多条路径将反射激光束两次或更多次地重新照射到目标膜上。

根据本发明的示例性实施例，一种激光晶化方法，包括：通过经由第一路经将激光束照射到目标膜上而晶化目标膜；在激光束反射出目标膜之后，通过使用反射单元、经由与第一路径不同的第二路径通过将激光束一次或多次地照射回目标膜而晶化目标膜；以及，通过工作台移动目标膜，使得激光束扫描目标膜。

根据本发明的示例性实施例，一种激光晶化装置，包括：激光振荡器；工作台，配置为支撑基底，基底上设置有目标膜，其中激光振荡器将入射激光束照射到目标膜上，其中工作台被配置为移动基底，使得入射激光束扫描目标膜，并且其中入射激光束从目标膜反射以生成反射激光束；反射单元，包括定位在反射激光束的路径上的至少两个反射单元，并且其中反射单元被配置为经由与入射激光束的路径不同的路径将反射激光束一次或多次地重新照射到目标膜上；以及激光消除器，被配置为在反射激光束已经经过反射单元并且接着从目标膜反射之后，捕获并消除反射激光束。

根据本发明的示例性实施例，一种激光晶化方法，包括：通过将激光束照射到目标膜上而晶化目标膜；在激光束已经从目标膜反射之后，使用反射单元、通过将激光束一次或多次地重新照射回目标膜上而晶化目标膜，其中重新照射的激光束经由与入射激光束的路径不同的路径朝着目标膜行进；通过在重新照射的激光束的路径处设置激光消除器，在重新照射的激光束从目标膜最后反射之后，消除激光束；以及通过工作台移动目标膜，使得入射激光束扫描目标膜。

附图说明

通过结合附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的上述及其它特征将变得更加明显，其中：

图1A和图1B是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图2A和图2B是图示根据本发明的示例性实施例的图1A中所示的激光晶化装置的一部分的放大视图；

图3是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图4A和图4B是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图5是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图6A和图6B是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图7是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图8是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化方法的流程图；

图9是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图10是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图11是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；

图12是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化装置的示意图；以及

图13是图示根据本发明的示例性实施例的激光晶化方法的流程图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更全面地描述本发明的各示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施并且不应被解释为受本文提出的各实施例的限制。贯穿说明书，相同的附图标记可指代相同的元件。为清楚起见，附图中图示的各元件的尺寸和比例可被放大。