[发明专利]量子点发光二极管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括：在衬底基板上依次形成的第一电极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第二电极层，其特征在于，在量子点发光层和所述电子传输层之间形成有与电子传输层相配合使得所述量子点发光层的电子注入速率和空穴传输速率之间的差值小于预设阈值范围的缓冲层;

所述缓冲层采用的材料为石墨烯；

利用石墨烯的导电性，以使得电子能够快速地从电子传输层转移到量子点发光层；当电子传输速率大于所述空穴传输速率、且电子传输速率与空穴传输速率的差值大于所述预设阈值时，增加所述缓冲层的厚度，以促进量子点发光层中空穴、电子的平衡；

所述缓冲层的厚度是所述电子传输层的厚度的1%-20%;

所述缓冲层采用的材料满足以下条件：原子层厚度≤3nm；电子迁移率为10⁴ -10⁶cm²/V·s的量级。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层采用的材料可以是有机电子传输材料或氧化锌，所述有机电子传输材料包括：2 ,9- 二甲基-4，7-联苯-1，10- 邻二氮杂菲、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，3，5-二(1-苯基-lH-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝Alq3、3-(联苯-4-基)-5(4-叔丁基苯基)-4H-1，2，4-三唑、或双[2-(2-吡啶基)苯酚]铍。

3.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的权利要求1-2任一项所述的量子点发光二极管。

4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求2所述的量子点发光二极管。

5.一种量子点发光二极管的制作方法，应用于权利要求1或2的量子点发光二极管，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底基板上形成第一电极层；

在所述第一电极层之上形成空穴注入层；

在所述空穴注入层之上形成空穴传输层；

在所述空穴传输层之上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层之上形成缓冲层；

在所述缓冲层之上形成电子传输层；

在所述电子传输层之上形成第二电极层；

在所述量子点发光层之上形成缓冲层具体包括：

利用旋涂工艺在所述量子点发光层上采用石墨烯制备缓冲层。

6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述缓冲层之上形成电子传输层具体包括:

利用旋涂工艺、蒸镀工艺或磁控溅射工艺在所述缓冲层上制备电子传输层。