[发明专利]量子点发光二极管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明涉及一种量子点发光二极管，包括：在衬底基板上依次形成的第一电极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第二电极层，在量子点发光层和所述电子传输层之间形成有与电子传输层相配合使得所述量子点发光层的电子注入速率和空穴传输速率之间的差值小于预设阈值范围的缓冲层。本发明还涉及量子点发光二极管的制作方法、阵列基板、显示装置。本发明的有益效果是：缓冲层的设置使得所述量子点发光层的电子注入速率和空穴传输速率之间的差值小于预设阈值范围，促进量子点发光层中空穴、电子的平衡。

技术领域

本发明涉及液晶产品制作技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶，作为一种新型的纳米荧光材料，与传统的有机荧光燃料相比有着很多的优点，具有宽激发光谱、窄发射谱、高荧光强度、发光波长可调、光和热及化学稳定性好，使得其在光电子学领域具有广阔的应用前景。量子点有机发光器件具有低功耗、高效率、响应速度快和重量轻等优点，可以大面积成膜，更主要的是由于无机材料本身的物理性质可以克服OLED(有机发光二极管，Organic Light-EmittingDiode)中的有机发光材料的热衰变、光化学衰变等问题，极大的延长器件使用寿命，是一种具有巨大的学术价值和良好的商业前景的光电子器件。

目前，传统的有机-无机杂化QLED(量子点发光二极管，Quantum dot light-emitting diode)器件中，量子点发光层夹在有机空穴传输层和无机电子传输层中间的三明治结构，其中，有机空穴传输材料的HOMO(已占有电子的能级最高的轨道称为最高已占轨道，用HOMO表示)能级位于-5.0eV-6.0eV范围，量子点价带能级位于-6.0eV-7.0eV范围，存在较大的空穴注入势垒；另外，多数有机空穴传输材料的迁移率＜10^-4cm²V^-1S^-1，不利于器件中的空穴注入和传输。而无机电子传输材料多采用具有较高的电子迁移率(10^-3cm²V^-1S^-1)ZnO纳米粒子薄膜，有利于器件中电子的注入和传输。从而导致器件中电子空穴注入不平衡，电荷传输效率不一致，电子传输效率高，空穴传输效率低，造成量子点发光层注入电荷不平衡，导致电流密度升高，存在漏电流的情况。量子点发光二极管效率也相对较低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种量子点发光二极管及其制作方法、阵列基板、显示装置，促进量子点发光层中空穴、电子的平衡。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种量子点发光二极管，包括：在衬底基板上依次形成的第一电极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、第二电极层，在量子点发光层和所述电子传输层之间形成有与电子传输层相配合使得所述量子点发光层的电子注入速率和空穴传输速率之间的差值小于预设阈值范围的缓冲层。

进一步的，所述缓冲层采用的材料满足以下条件：原子层厚度≤3nm；电子迁移率为10⁴-10⁶cm²/V·s的量级。

进一步的，所述缓冲层采用的材料为石墨烯。

进一步的，所述缓冲层的厚度是所述电子传输层的厚度的1％-20％。

进一步的，所述电子传输层采用的材料可以是有机电子传输材料或氧化锌，所述有机电子传输材料包括：2,9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，3，5-二(1-苯基-lH-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝Alq3、3-(联苯-4-基)-5(4-叔丁基苯基)-4H-1，2，4-三唑、或双[2-(2-吡啶基)苯酚]铍。

本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的上述的量子点发光二极管。