[发明专利]一种平坦化方法有效
| 申请号： | 201710180563.7 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630537B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林仁杰;陈豊元;林文钦;黄祈纶;庄必泓;陈泰霖;陈筍弘 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 方法 | ||
1.一种平坦化方法，包含:
提供一基底，一半导体结构形成于该基底上；
在基底上形成一介电层，该介电层覆盖该半导体结构的部分具有一第一表面，其余部分具有一第二表面；
在该介电层上形成一掩模层；
进行一第一化学机械研磨制作工艺，移除该半导体结构正上方的该掩模层以形成一开口，暴露出该介电层；
进行一蚀刻制作工艺，自该开口各向同性地移除该介电层至一第三表面；
移除该掩模层；以及
进行一第二化学机械研磨制作工艺。
2.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该蚀刻制作工艺为湿蚀刻制作工艺。
3.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该半导体结构并未自该第三表面暴露出来。
4.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该第三表面的面积大于该开口的面积。
5.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该蚀刻制作工艺后，该掩模层的一末端自该第三表面的边缘凸出，并悬挂在该第三表面的边缘。
6.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该第一表面高于该第二表面，该第二表面高于该半导体结构的一顶面。
7.如权利要求6所述的平坦化方法，其中该第三表面高于该第二表面。
8.如权利要求6所述的平坦化方法，其中该第三表面低于该第二表面。
9.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该第一表面高于该第二表面，该第二表面低于该半导体结构的顶面。
10.如权利要求9所述的平坦化方法，其中进行该第二化学机械研磨制作工艺之前，还包含于该介电层上形成一盖层。
11.如权利要求1所述的平坦化方法，其中是通过一移除制作工艺移除该掩模层。
12.如权利要求1所述的平坦化方法，其中是通过该第二化学机械研磨制作工艺移除该掩模层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
