[发明专利]一种量子点薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201710187909.6 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN106910814A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 潘彪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;B82Y30/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,侯艺 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点薄膜,其特征在于,包括支撑基板,以及若干层堆叠于所述支撑基板表面的量子点层;
每层所述量子点层包括:骨架结构,以及分布于所述骨架结构表面的聚合物,还包括量子点材料,所述量子点材料通过分子间作用力吸附在所述聚合物表面。
2.根据权利要求1所述量子点薄膜,其特征在于,所述量子点层的层数为1~50。
3.根据权利要求1所述量子点薄膜,其特征在于,所述量子点材料与所述聚合物之间的质量比为1~1:20。
4.根据权利要求1所述量子点薄膜,其特征在于,所述支撑基板为柔性聚合物基板,具体材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚酰胺,聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。
5.根据权利要求1所述量子点薄膜,其特征在于,所述骨架结构的材质选自:[M1M2(OH)x]Ny·4H2O;
其中,M1和M2为两种不同的金属,M1和M2均选自Mg、Ca、Al、Ga、In、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y;
N为带负电的离子基团,具体选自CO32-、NO3-、Cl-、Br-、SO42-任一种;
x、y为原子或基团的个数。
6.根据权利要求1或3所述量子点薄膜,其特征在于,所述聚合物选自聚醋酸乙烯酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚氨酯、有机硅聚合物中的一种或多种。
7.根据权利要求1或3所述量子点薄膜,其特征在于,所述量子点材料包括红色量子点和绿色量子点;红色量子点和绿色量子点均选自:第Ⅱ主族元素和第Ⅵ主族元素所形成的化合物、第Ⅲ主族元素与第Ⅴ主族元素所形成的化合物中的任意一种。
8.根据权利要求1或3所述量子点薄膜,其特征在于,所述量子点材料的直径为1~10nm。
9.一种根据权利要求1~8任一项所述量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:将预处理后的支撑基板浸泡在骨架胶体中不低于10min,形成组装有骨架结构的支撑基板;
步骤二:将所述组装有骨架结构的支撑基板浸泡在量子点材料和聚合物的混合液中不低于10min;量子点材料和聚合物的质量比为1:1~20;
重复所述步骤一、步骤二n次,n的取值范围为1~50。
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