[发明专利]一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置

权利要求书

1.一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，包括动态无功补偿柜体，所述动态无功补偿柜体内设置有电流闭环控制电路；所述电流闭环控制电路包括依次电连接的滤波器、输入接触器(KM)、电感(L)、逆变器、第一PI调节器和坐标变换模块(C2r/3s)，坐标变换模块(C2r/3s)分别电连接至逆变器和负载，所述负载和滤波器连接至电源，所述坐标变换模块(C2r/3s)和逆变器间依次电连接有第二PI调节器、慢降栅压过流保护电路和PWM发生器，所述坐标变换模块(C2r/3s)和负载间设有相互并联的谐波电流检测电路和锁相环(PLL)。

2.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述慢降栅压过流保护电路包括依次电连接的第一三极管(Q₁)和第二三极管(Q₂)，第一三极管(Q₁)和第二三极管(Q₂)间通过驱动电阻(R_g)连接至故障检测晶体管(V₁)的基极，第二三极管(Q₂)连接至第一晶体管(VT₁)的发射极，第一晶体管(VT₁)的基极依次电连接有第一稳压二极管(VZ₁)和第一故障检测二极管(VD₁)，第一故障检测二极管(VD₁)连接至故障检测晶体管(V₁)的集电极；第一晶体管(VT₁)的集电极依次电连接有光耦驱动电路、第一电阻(R₁)、第二稳压二极管(VZ₂)和第二故障检测二极管(VD₂)，第二故障检测二极管(VD₂)连接至第二晶体管(VT₂)的基极；第一晶体管(VT₁)的发射极通过第四电阻(R₄)连接至第二晶体管(VT₂)的集电极，第二晶体管(VT₂)的发射极连接至故障检测晶体管(V₁)的基极，故障检测晶体管(V₁)的发射极接地。

3.根据权利要求2所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述第一晶体管(VT₁)上设置有第二电容(C₂)，第二稳压二极管(VZ₂)上设置有相互并联的第一电容(C₁)和第二电阻(R₂)，第一三极管(Q₁)和第二三极管(Q₂)间通过第三电阻(R₃)连接至第一稳压二极管(VZ₁)和第一故障检测二极管(VD₁)间。

4.根据权利要求3所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述第一晶体管(VT₁)、第一三极管(Q₁)和故障检测晶体管(V₁)均为NPN型，所述第二三极管(Q₂)和第二晶体管(VT₂)均为PNP型。

5.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述输入接触器(KM)上并联有软启动电阻(R)。

6.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述滤波器采用高通滤波器。

7.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述逆变器采用三相半桥逆变器。

8.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述谐波电流检测电路包括FFT模块和IFFT模块。

9.根据权利要求1所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述装置的总电流的频率为64.8KHz。

10.根据权利要求9所述的一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置，其特征在于，所述装置的补偿响应时间小于10ms。