[发明专利]一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置在审

专利信息
申请号: 201710188445.0 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN107069762A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 胡永凯;康晔;蒋浩;刘进;乔媛媛 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网陕西省电力公司榆林供电公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18;H02J3/01;H02H3/093;H02H3/02;H02M7/5387;H03K17/284
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 陆万寿
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 慢降栅压 保护 动态 无功 补偿 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电力设备,具体涉及一种采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置。

背景技术

IGBT是电压控制型器件,在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压,只有μA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在这较大的寄生电容,在驱动脉冲电压的上升及下降需要提供数A的充放电流,才能满足开通和关断的动态要求,这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。IGBT作为一种复合器件,存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如果采用一般的速度封锁栅极电压,过高的电流变化率会引起过电压,经常采用软关断技术予以解决。软关断是指在过流和短路时,直接关断IGBT。但是软关断抗骚扰能力差,一旦检测到过流信号就关断很容易发生误动作。为增加保护电路的抗骚扰能力,可在故障信号与启动保护电路之间加一延时,不过故障电流会在这个延时内急剧上升,大大增加了功率损耗,同时还会导致器件的di/dt增大,所以往往是保护电路启动了,器件仍然损坏了。

发明内容

为了解决现有技术中的问题,本发明提出一种采用慢降栅压的保护措施,降低故障时器件的功耗,有利于保护器件的采用慢降栅压过流保护的动态无功补偿装置。

为了实现以上目的,本发明所采用的技术方案为:包括动态无功补偿柜体,所述动态无功补偿柜体内设置有电流闭环控制电路;所述电流闭环控制电路包括依次电连接的滤波器、输入接触器KM、电感L、逆变器、第一PI调节器和坐标变换模块C2r/3s,坐标变换模块C2r/3s分别电连接至逆变器和负载,所述负载和滤波器连接至电源,所述坐标变换模块C2r/3s和逆变器间依次电连接有第二PI调节器、慢降栅压过流保护电路和PWM发生器,所述坐标变换模块C2r/3s和负载间设有相互并联的谐波电流检测电路和锁相环PLL。

所述慢降栅压过流保护电路包括依次电连接的第一三极管Q1和第二三极管Q2,第一三极管Q1和第二三极管Q2间通过驱动电阻Rg连接至故障检测晶体管V1的基极,第二三极管Q2连接至第一晶体管VT1的发射极,第一晶体管VT1的基极依次电连接有第一稳压二极管VZ1和第一故障检测二极管VD1,第一故障检测二极管VD1连接至故障检测晶体管V1的集电极;第一晶体管VT1的集电极依次电连接有光耦驱动电路、第一电阻R1、第二稳压二极管VZ2和第二故障检测二极管VD2,第二故障检测二极管VD2连接至第二晶体管VT2的基极;第一晶体管VT1的发射极通过第四电阻R4连接至第二晶体管VT2的集电极,第二晶体管VT2的发射极连接至故障检测晶体管V1的基极,故障检测晶体管V1的发射极接地。

所述第一晶体管VT1上设置有第二电容C2,第二稳压二极管VZ2上设置有相互并联的第一电容C1和第二电阻R2,第一三极管Q1和第二三极管Q2间通过第三电阻R3连接至第一稳压二极管VZ1和第一故障检测二极管VD1间。

所述第一晶体管VT1、第一三极管Q1和故障检测晶体管V1均为NPN型,所述第二三极管Q2和第二晶体管VT2均为PNP型。

所述输入接触器KM上并联有软启动电阻R。

所述滤波器采用高通滤波器。

所述逆变器采用三相半桥逆变器。

所述谐波电流检测电路包括FFT模块和IFFT模块。

所述装置的总电流的频率为64.8KHz。

所述装置的补偿响应时间小于10ms。

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