[发明专利]叠层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层结构，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的至少一个材料层；

穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔，

其中，所述过孔具有台阶状的侧表面；以及

保形覆盖所述过孔的侧表面的另一材料层。

2.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述至少一个材料层的厚度与所述另一材料层的厚度的比率大于10。

3.根据权利要求2所述的叠层结构，其特征在于，所述叠层结构还包括薄膜晶体管；

所述至少一个材料层至少覆盖所述薄膜晶体管；

所述过孔暴露所述薄膜晶体管的源/漏极或栅极；以及

所述另一材料层包括导电层。

4.根据权利要求3所述的叠层结构，其特征在于，所述至少一个材料层包括有机膜层。

5.根据权利要求4所述的叠层结构，其特征在于，所述有机膜层的厚度为约20000埃，所述导电层的厚度小于1000埃。

6.根据权利要求4所述的叠层结构，其特征在于，还包括：位于所述导电层上的钝化层；以及

位于所述钝化层上的又一导电层。

7.一种叠层结构的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成至少一个材料层；

在所述至少一个材料层中形成穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔，其中，所述过孔具有台阶状的侧表面；以及

在所述至少一个材料层上保形形成另一材料层以覆盖所述过孔的侧表面。

8.根据权利要求7所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，所述至少一个材料层的厚度与所述另一材料层的厚度的比率大于10。

9.根据权利要求7所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，形成所述过孔的方法包括：形成穿过所述至少一个材料层的具有第一宽度的第一过孔，其中，所述第一过孔的深度小于所述至少一个材料层的厚度；以及在所述第一过孔的底部形成穿过所述至少一个材料层的具有第二宽度的第二过孔，

其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第二过孔的侧表面与所述第一过孔的侧表面不连续。

10.根据权利要求7所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，形成所述过孔的方法包括：形成穿过所述至少一个材料层的具有第三宽度的第三过孔；以及在所述第三过孔的顶部形成穿过所述至少一个材料层的具有第四宽度的第四过孔，

其中，所述第三宽度小于所述第四宽度，所述第三过孔的侧表面与所述第四过孔的侧表面不连续。

11.根据权利要求7所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，所述至少一个材料层包括有机膜层。

12.根据权利要求11所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，形成所述过孔的方法包括：采用半色调掩膜版一次构图形成具有台阶状的侧表面的所述过孔，其中，所述半色调掩膜版包括全透区、位于所述全透区两侧的半透区和位于所述半透区两侧的全遮区。

13.根据权利要求11所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，所述叠层结构的制备方法还包括：在形成所述至少一个材料层之前在所述基板上形成薄膜晶体管，其中，所述过孔暴露所述薄膜晶体管的源/漏极或栅极，所述另一材料层包括导电层；

以及所述叠层结构的制备方法进一步包括：

在所述另一材料层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成又一导电层。

14.根据权利要求13所述的叠层结构的制备方法，其特征在于，所述有机膜层的厚度为约20000埃，所述导电层的厚度小于1000埃。