[发明专利]叠层结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种叠层结构及其制备方法。

背景技术

随着平板显示技术的不断推广，薄膜晶体管(TFT)的技术也得到迅速发展。掩膜层数的不断增加致使TFT制备过程中的过孔现象更为普遍。当过孔深度过大，尤其是对于目前的有机膜过孔，其深度是上方导电层厚度的数十倍，如此高的厚度差很容易使得导电层过孔时由于爬坡困难而存在断线风险。

发明内容

本发明实施例提供了一种叠层结构及其制备方法，能够降低材料覆盖过孔时由于材料爬坡困难而发生断线的风险，提高产品良率。

在本公开的第一方面中，提供一种叠层结构，包括：基板；位于所述基板上的至少一个材料层；穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔，其中，所述过孔具有台阶状的侧表面；以及保形覆盖所述过孔的侧表面的另一材料层。

在一个实施例中，所述至少一个材料层的厚度与所述另一材料层的厚度的比率大于10。

在一个实施例中，所述叠层结构还包括薄膜晶体管；所述至少一个材料层至少覆盖所述薄膜晶体管；所述过孔暴露所述薄膜晶体管的源/漏极或栅极；以及所述另一材料层包括导电层。

在一个实施例中，所述至少一个材料层包括有机膜层。

在一个实施例中，所述有机膜层的厚度为约20000埃，所述导电层的厚度小于1000埃。

在一个实施例中，所述叠层结构还包括：位于所述导电层上的钝化层；以及位于所述钝化层上的又一导电层。

在本公开的第二方面中，还提供一种叠层结构的制备方法，包括：在基板上形成至少一个材料层；在所述至少一个材料层中形成穿过所述至少一个材料层的至少一部分的过孔，其中，所述过孔具有台阶状的侧表面；以及在所述至少一个材料层上保形形成另一材料层以覆盖所述过孔的侧表面。

在一个实施例中，所述至少一个材料层的厚度与所述另一材料层的厚度的比率大于10。

在一个实施例中，形成所述过孔的方法包括：形成穿过所述至少一个材料层的具有第一宽度的第一过孔，其中，所述第一过孔的深度小于所述至少一个材料层的厚度；以及在所述第一过孔的底部形成穿过所述至少一个材料层的具有第二宽度的第二过孔，

其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第二过孔的侧表面与所述第一过孔的侧表面不连续。

在一个实施例中，形成所述过孔的方法包括：形成穿过所述至少一个材料层的具有第三宽度的第三过孔；以及在所述第三过孔的顶部形成穿过所述至少一个材料层的具有第四宽度的第四过孔，

其中，所述第三宽度小于所述第四宽度，所述第三过孔的侧表面与所述第四过孔的侧表面不连续。

在一个实施例中，所述至少一个材料层包括有机膜层。

在一个实施例中，形成所述过孔的方法包括：采用半色调掩膜版一次构图形成具有台阶状的侧表面的所述过孔，其中，所述半色调掩膜版包括全透区、位于所述全透区两侧的半透区和位于所述半透区两侧的全遮区。

在一个实施例中，所述叠层结构的制备方法还包括：在形成所述至少一个材料层之前在所述基板上形成薄膜晶体管，其中，所述过孔暴露所述薄膜晶体管的源/漏极或栅极，所述另一材料层包括导电层；

以及所述叠层结构的制备方法进一步包括：在所述另一材料层上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成又一导电层。

在一个实施例中，所述有机膜层的厚度为约20000埃，所述导电层的厚度小于1000埃。

在本文描述的实施例中，形成具有台阶状的侧表面的过孔，以使得当包括过孔的层的厚度远大于过孔上方的层的厚度时，能够降低过孔上方的层覆盖过孔时由于材料爬坡困难而发生断线的风险，从而提高产品良率。

适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。

附图说明

本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：

图1示意性示出根据本公开实施例提供的一种叠层结构的截面图；

图2示意性示出根据本公开实施例提供的包括薄膜晶体管的叠层结构的截面图；

图3示意性示出根据本公开实施例的叠层结构的制备方法的形成至少一个材料层的示意图；

图4示意性示出根据本公开实施例的制备方法的形成过孔的示意图；