[发明专利]图案化基板与发光二极管晶圆

权利要求书

1.一种图案化基板，其特征在于，包括：

基材，具有至少一元件配置区以及环绕所述元件配置区的切割区；以及

多个图案结构，与所述基材一体成型，且位于所述基材的所述切割区内，其中所述多个图案结构彼此分离且分布于所述切割区，每一所述多个图案结构的宽度与高度的比值介于0.8至1.5之间。

2.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，所述多个图案结构突出配置于所述基材上，且所述多个图案结构的形状包括角锥形、圆锥形、球形或梯形。

3.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，所述多个图案结构内埋于所述基材内，且所述多个图案结构的形状包括凹角锥形、凹圆锥形、凹球形或凹梯形。

4.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，所述至少一元件配置区的宽度介于1微米至15微米之间。

5.根据权利要求4所述的图案化基板，其特征在于，所述至少一元件配置区的宽度的定义是分别位于所述至少一元件配置区两侧且邻近所述至少一元件配置区的所述多个图案结构的距离。

6.根据权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，每一所述多个图案结构具有粗糙化表面。

7.一种发光二极管晶圆，其特征在于，包括：

图案化基板，所述图案化基板包括，

基材，具有多个元件配置区以及环绕所述多个元件配置区的切割区；以及

多个图案结构，与所述基材一体成型，且位于所述基材的所述切割区内，其中所述多个图案结构彼此分离且分布于所述切割区，且每一所述多个图案结构的宽度与高度的比值介于0.8至1.5之间；以及

磊晶结构层，配置于所述图案化基板上。

8.根据权利要求7所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述多个图案结构突出配置于所述基材上，且所述多个图案结构的形状包括角锥形、圆锥形、球形或梯形。

9.根据权利要求7所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述多个图案结构内埋于所述基材内，且所述多个图案结构的形状包括凹角锥形、凹圆锥形、凹球形或凹梯形。

10.根据权利要求7所述的发光二极管晶圆，其特征在于，每一所述多个元件配置区的宽度介于1微米至15微米之间。

11.根据权利要求7所述的发光二极管晶圆，其特征在于，每一所述多个图案结构具有粗糙化表面。

12.一种发光二极管晶圆，其特征在于，包括：

图案化基板，所述图案化基板包括，

基材，具有多个元件配置区以及环绕所述多个元件配置区的切割区；以及

多个图案结构，与所述基材一体成型，且位于所述基材的所述切割区内，其中所述多个图案结构彼此分离且分布于所述切割区；以及

磊晶结构层，配置于所述图案化基板上，所述磊晶结构层具有多个子磊晶结构，所述多个子磊晶结构彼此分离且对应位于所述多个元件配置区上，且每一所述多个图案结构的宽度与高度的比值介于0.2至1之间。

13.根据权利要求12所述的发光二极管晶圆，其特征在于，还包括：

缓冲层，位于所述图案化基板与所述磊晶结构之间，其中所述缓冲层具有多个彼此分离的缓冲部，所述多个缓冲部对应位于所述多个元件配置区上，所述多个子磊晶结构分别形成于所述多个缓冲部上。

14.根据权利要求13所述的发光二极管晶圆，其特征在于，每一所述多个缓冲部具有与所述基材接触的下表面，以及与每一所述多个子磊晶结构接触的上表面，而所述下表面的面积小于所述上表面的面积。