[发明专利]图案化基板与发光二极管晶圆

说明书

本发明提供一种图案化基板与发光二极管晶圆。图案化基板包括基材以及多个图案结构。基材具有至少一元件配置区以及环绕元件配置区的切割区。图案结构与基材一体成型，且位于基材的切割区内。图案结构彼此分离且分布于切割区。

技术领域

本发明涉及一种图案化基板与发光二极管晶圆，尤其涉及一种可提高磊晶品质的图案化基板与发光二极管晶圆。

背景技术

在制作发光二极管的处理中，需要在一种材料(如基板)上长出另一种不同的材料(如磊晶结构)，此时必须要考虑到两者晶格原子间的匹配程度。若是两个材料之间的晶格大小差距太大，必然会在两个材料的界面处产生应力场。缺陷或差排大多因此而存在于此界面之中，且在磊晶结构产生时就会发现有穿隧差排(threading dislocation)从此界面中延伸出来，导致磊晶品质不佳进而影响元件的效能。

发明内容

本发明提供一种图案化基板，可提高磊晶品质。

本发明还提供一种发光二极管晶圆，可解决现有因晶格不匹配而于磊晶时产生穿隧差排进而降低磊晶品质的问题。

本发明的发光二极管晶圆，其包括图案化基板以及配置于所述图案化基板上的磊晶结构层。图案化基板，其包括基材以及多个图案结构。基材具有至少一元件配置区以及环绕元件配置区的切割区。图案结构与基材一体成型，且位于基材的切割区内。图案结构彼此分离且分布于切割区。

在本发明的一实施例中，上述的图案结构突出配置于基材上，且图案结构的形状包括角锥形、圆锥形、球形或梯形。

在本发明的一实施例中，上述的图案结构内埋于基材内，且图案结构的形状包括凹角锥形、凹圆锥形、凹球形或凹梯形。

在本发明的一实施例中，上述的元件配置区的宽度介于1微米至15微米之间，且元件配置区的宽度的定义是分别位于元件配置区两侧且邻近元件配置区的图案结构的距离。

在本发明的一实施例中，每一图案结构的宽度与高度的比值介于0.8至1.5之间。

在本发明的一实施例中，上述的每一图案结构具有粗糙化表面。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶结构层具有多个子磊晶结构，且子磊晶结构彼此分离且对应位于元件配置区上。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管晶圆，还包括：缓冲层，位于图案化基板与磊晶结构层之间，其中缓冲层具有多个彼此分离的缓冲部，每一缓冲部分别对应位于一个元件配置区上，子磊晶结构分别形成于缓冲部上。

在本发明的一实施例中，具有子磊晶结构的图案化基板上的每一图案结构的宽度与高度的比值介于0.2至1之间。

在本发明的一实施例中，上述的每一缓冲部具有与基材接触的下表面，以及与子磊晶结构接触的上表面，而下表面的面积小于上表面的面积。

基于上述，在本发明的图案化基板的设计中，图案结构与基材一体成型，且图案结构是彼此分离且分布于基材的切割区。后续于此图案化基板进行磊晶程序时，这些位于切割区的图案结构可有效减少在元件配置区内的磊晶结构层所受到的压缩应力和穿隧差排，可提高磊晶品质。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A显示为本发明的一实施例的一种发光二极管晶圆的俯视示意图；

图1B显示为图1A的发光二极管晶圆的局部剖面示意图；

图2显示为本发明的另一实施例的一种图案化基板的局部剖面示意图；

图3显示为本发明的另一实施例的一种图案化基板的局部剖面示意图；