[发明专利]多酸和八硫化九钴共修饰二氧化钛纳米管阵列光电化学析氧电极的制备方法有效
申请号: | 201710190524.5 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN107012480B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 许林;刘然 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | C25B11/06 | 分类号: | C25B11/06;C25B1/04;C25D11/26 |
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地址: | 130024 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫化 九钴共 修饰 氧化 纳米 阵列 光电 化学 电极 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛-八硫化九钴-多酸复合膜电极,其特征在于:对光电化学分解水析氧具有良好的性能;二氧化钛的形貌为纳米管阵列,其化学式为TiO2;八硫化九钴形貌为纳米片,其化学式为Co9S8;多酸为Keggin型磷钨酸,其化学式为H3[PW12O40]·nH2O;二氧化钛纳米管阵列采用阳极氧化法合成,之后利用溶剂热法得到二氧化钛-八硫化九钴复合膜电极,最后利用化学浴沉积法得到二氧化钛-八硫化九钴-多酸复合膜电极。
2.按照权利要求1所述的二氧化钛-八硫化九钴-多酸复合膜电极,其特征在于:可以在室温和光电化学的条件下,以单独二氧化钛纳米管阵列为对比,利用电化学信号的变化来比较其光电化学分解水析氧的性能。
3.按照权利要求1所述的二氧化钛-八硫化九钴-多酸复合膜电极,其特征在于:主体是二氧化钛纳米管阵列结构,八硫化九钴和多酸均匀地分布在二氧化钛纳米管阵列表面,这种材料能够以薄膜的形式稳定地存在于钛箔上,其制备方法简单,成本低廉,性能稳定,实验条件温和,回收完全。
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