[发明专利]存储系统及其操作方法

权利要求书

1.一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：

擦除第一行的多级存储单元；

从外部设备接收第一页数据和第二页数据；

将第一页数据存储到RAM；

将第二页数据存储到RAM；

将第一页数据加载到页缓冲器；

将第二页数据加载到页缓冲器；以及

通过将存储在页缓冲器中的第一页数据和存储在页缓冲器中的第二页数据同时编程到所述第一行的经擦除的多级存储单元，来执行对多比特数据的一次性编程过程；

其中，所述对多比特数据的一次性编程过程是通过将第一页数据和第二页数据同时编程到所述经擦除的多级存储单元来完成的，并且其中第一页数据和第二页数据被同时编程在所述第一行的经擦除的多级存储单元当中的相同存储单元中，

其中当所述第一页数据和所述第二页数据被编程到经擦除的多级存储器单元时使用的所述第一页数据的第一地址信息和所述第二页数据的第二地址信息彼此相同，并且

当从多级存储器单元读取第一页数据和第二页数据时使用的第一页数据的第三地址信息和第二页数据的第四地址信息彼此不同。

2.一种用于操作存储系统的方法，所述存储系统包括随机访问存储器RAM和三维非易失性存储器，所述三维非易失性存储器包括页缓冲器和布置在第一行中并被配置为将第一页数据和第二页数据存储为多比特数据的多级存储单元，所述方法包括：

擦除第一行的多级存储单元；

从外部设备接收第一页数据和第二页数据；

将第一页数据存储到RAM；

将第二页数据存储到RAM；

将第一页数据加载到页缓冲器；

将第二页数据加载到页缓冲器；

将第一页数据和第二页数据同时编程到经擦除的多级存储单元，其中第一页数据和第二页数据被同时编程在所述第一行的经擦除的多级存储单元当中的相同存储单元中；以及

在将第一页数据和第二页数据同时编程到经擦除的多级存储单元之后，删除存储在所述RAM中的第一页数据和第二页数据，

其中，当所述第一页数据和所述第二页数据被编程到经擦除的多级存储器单元时使用的所述第一页数据的第一地址信息和所述第二页数据的第二地址信息彼此相同，并且当从多级存储器单元读取第一页数据和第二页数据时使用的第一页数据的第三地址信息和第二页数据的第四地址信息彼此不同。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在同时编程所述第一页数据和所述第二页数据期间使用的第一地址方案不同于在从多级存储器单元读取所述第一页数据和第二页数据期间使用的第二地址方案。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述多级存储器单元被配置为存储至少三比特数据。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一页数据是最高有效比特(MSB)数据，并且所述第二页数据是最低有效比特(LSB)数据。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一行中的多级存储器单元连接到第一字线。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述页缓冲器通过位线连接到所述多级存储单元。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述页缓冲器被配置为执行回拷操作。

9.根据权利要求1或2所述的方法，还包括确定所述第一页数据和所述第二页数据是否对应于多页数据。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中从所述外部设备顺序地接收所述第一页数据和所述第二页数据。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一页数据和所述第二页数据被顺序地存储在所述RAM中。