[发明专利]层叠膜及其制造方法

权利要求书

1.一种层叠膜，是在树脂基材上至少层叠有气体阻隔层和无机聚合物层的层叠膜，

无机聚合物层表面的算术平均高度Sa为20nm以下，

在试样室内收容含有无机聚合物层的层叠膜，一边使25℃、85％RH的加湿空气在试样室内流通，一边在85℃对试样室内进行1小时加热时的无机聚合物层单位质量的NH₃气体产生量为5000质量ppm以下。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，无机聚合物层中的NH₃气体产生量为3000质量ppm以下。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，

所述气体阻隔层是含有硅原子、氧原子和碳原子且在硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中全部满足下述条件i～iii的硅氧化物系的层，所述硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线分别表示该气体阻隔层的膜厚方向的从该气体阻隔层的表面起的距离与相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的硅原子量的比率即硅的原子比、氧原子量的比率即氧的原子比和碳原子量的比率即碳的原子比的关系，

i：硅的原子比、氧的原子比和碳的原子比在该气体阻隔层的膜厚的90％以上的区域满足由下述式(1)表示的条件，

(氧的原子比)＞(硅的原子比)＞(碳的原子比)···(1)

ii：所述碳分布曲线具有至少1个极值，

iii：所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5at％以上。

4.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，

所述气体阻隔层含有硅原子、氧原子和氮原子，且该气体阻隔层是全部满足下述条件iv和v的硅氧化物系的层，

iv：所述气体阻隔层从树脂基材侧起具有含氧比率不同的第2薄膜层、第1薄膜层、第3薄膜层，第1薄膜层的硅原子、氧原子和氮原子的平均组成在10at％≤Si≤40at％、5at％≤O≤30at％、50at％≤N≤80at％的范围，

v：所述第2和第3薄膜层的氮原子和硅原子的元素比率在下述式(2)的范围，

N/Si≤0.2···(2)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠膜，其中，无机聚合物层是由含有聚硅氮烷的组合物的固化物构成的层。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠膜，其中，至少依次层叠有树脂基材、气体阻隔层和无机聚合物层。

7.一种层叠膜的制造方法，是在树脂基材上至少层叠有气体阻隔层和无机聚合物层的层叠膜的制造方法，

具有以化学气相沉积法形成所述气体阻隔层的工序，

无机聚合物层表面的算术平均高度Sa为20nm以下，

在试样室内收容含有无机聚合物层的层叠膜，一边使25℃、85％RH的加湿空气在试样室内流通，一边在85℃对试样室内进行1小时加热时的无机聚合物层单位质量的NH₃气体产生量为5000质量ppm以下。

8.根据权利要求7所述的层叠膜的制造方法，具有通过照射波长200nm以下的真空紫外光使含有无机聚合物的组合物固化而形成所述无机聚合物层的工序。