[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件(10)的方法，所述半导体器件在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属构件(16)，所述方法包括：

-提供覆盖所述导电金属构件(16)的第一金属层(102)，所述第一层(102)包括平坦的形态，以及

-提供第二金属层(104)，所述第二金属层通过使得所述第一层(102)的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一层(102)，所述第二层(104)包括粗糙的形态。

2.如权利要求1所述的方法，包括优选地通过焊接将导电接线(18)键合到所述第二层(104)上。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中：

-所述第一层(102)具有1-2微米(1-2.10^-6m)的厚度，并且/或者

-所述第二层(104)具有1-3微米(1-3.10^-6m)的厚度。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中：

-所述第一层(102)具有大约为1的糙度表面比或SR，并且/或者

-所述第二层(104)具有大约为1.2至3.0的糙度表面比或SR糙度。

5.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属构件(16)、所述第一层(102)以及所述第二层(104)中的至少一者并且优选地全部包括铜。

6.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一层(102)包括亮铜。

7.如以上权利要求中任一项所述的方法，包括：通过电解沉积、化学气相沉积、溅射、无电式电镀以及喷涂之一来提供所述第一层(102)和所述第二层(104)。

8.如以上权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属构件包括具有引线尖端的至少一个接触引线(16)，其中，所述方法包括在所述尖端处设置所述第二层(104)。

9.如以上权利要求中任一项所述的方法，包括：提供用于将半导体裸片(12)安装在所述封装体(20)中的裸片焊盘(14)，所述方法包括：

-提供覆盖所述裸片焊盘(14)的所述第一层(102)，以及

-将半导体裸片(12)附接至所述第一层(102)处的所述裸片焊盘(14)上。

10.一种半导体器件(10)，包括：

-至少一个导电金属构件(16)，所述至少一个导电金属构件在非导电封装材料(20)中，

-第一金属层，所述第一金属层覆盖所述至少一个金属构件(16)，所述第一层(102)具有平坦的形态，以及

-第二金属层，所述第二金属层通过使得所述第一层(102)的至少一个表面部分未被覆盖而部分地覆盖所述第一层(102)，所述第二层(104)具有粗糙的形态。

11.如权利要求10所述的半导体器件(10)，包括：

-裸片焊盘(14)，所述裸片焊盘用于将半导体裸片(12)安装在所述封装体(20)中，

-所述第一层(102)，所述第一层覆盖所述裸片焊盘(14)，以及

-半导体裸片(12)，所述半导体裸片被附接至所述第一层(102)处的所述裸片焊盘(14)上。

12.如权利要求10或权利要求11所述的半导体器件(10)，其中，所述金属构件包括具有引线尖端的至少一个接触引线(16)，在所述尖端处设置所述第二层(104)。