[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
申请号: | 201710199049.8 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107768256A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | P·克雷马;P·卡莎蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
技术领域
本公开涉及半导体器件(诸如集成电路)的制造。
一个或多个实施例可以应用于在这类器件中形成导电触头,例如,铜触头。
背景技术
半导体电路(特别是集成电路)的市场例如在多个行业(诸如汽车行业)对制造商强加日益迫切的要求。
例如,有需要基于使用所谓的金属引线框(LF)来设置半导体电路的封装体,这些金属引线框能够承受热机械应力,诸如由组件工艺或者由重复的激活/去激活(打开/关闭)循环引起的应力。
例如,期望的是实现关于诸如脱层现象的良好水平的固有鲁棒性,以便能够实现可被定义为无脱层(即具有能够承受不同材料(诸如例如,引线框的导电材料(铜)与封装体的树脂或化合物)之间的脱层现象的封装结构)的解决方案。
诸如US 2009/0315159 A1的文献代表已知技术。
发明内容
一个或多个实施例的目标是有助于解决先前概括的问题。
根据一个或多个实施例,由于呈现了在随后权利要求书中所回忆的特性的方法,可实现以上目标。
一个或多个实施例还可以是关于相应的半导体器件。
权利要求书形成了在此提供的实施例的示例的描述的完整部分。
一个或多个实施例可以设想,借助于能够提高对封装体的树脂/化合物的粘合性的、粗糙类型的材料(例如,铜),从而使得整个结构将对脱层现象(例如,在铜材料与树脂之间)特别地不敏感,该脱层现象可能是由被设置(例如,在其使用寿命期间在接通和断开器件之后)的热循环诱导的。
在一个或多个实施例中,在这两种不同材料之间的粘合性可能是由于机械和化学性质的机制(即由于树脂可粘合的微刺(峰或谷)的存在,以及由于诸如用于使能每单元表面的更高化学交互的接触表面的增加而引起的。
一个或多个实施例可以基于观察事实:通过借助于粗糙版本而与例如由标准类型的铜制成的表面相比,有可能获得有效表面(例如,在100-150%的区域中)的增加。
另一方面,粗糙表面可能导致不期望现象(诸如对可湿性特征的修改)的开始,该效果的增加被称为“环氧树脂泄露”(EBO)。
一个或多个实施例可以因此设想,提供两个材料层的堆叠(例如,两个铜层):第一层,该第一层由光亮(闪亮)类型的铜制成,例如被电镀在引线框的整个表面上(例如,最小厚度为1μm),其诸如还能够实现对例如半导体裸片的稳定附接;以及第二层,该第二层由粗糙铜制成,例如亦在此情况下通过在引线框的专用区域上电镀最小厚度大约为1μm而形成,例如使得能够实现接线键合类型(用于示例铜接线)的稳定连接。
一个或多个实施例可以基于以下事实的实现:设想(例如,半光亮类型的)银的点沉积的技术可以不为封装体的树脂/化合物提供足够程度的粘合性。而且,层的沉积是有问题的并且沉积的层具有粗糙的形态,这可能引起银与树脂之间的脱层,键合接线(例如,铜接线)在存在热循环的情况下易受到故障影响。
附图说明
现在将仅通过非限制性示例的方式,参照所附附图来描述一个或多个实施例,在附图中:
-图1是半导体器件的示意性横截面视图;
-图2是与图1的箭头II大致相对应的视图,其展示了实施例的特性;以及
-图3是实施例的生产的模式的合成表示。
将认识到的是,为了图示的清晰和简单起见,各附图及其中的可见部件可以不全部以相同比例表示。
具体实施方式
在随后的描述中,展示了各种具体细节以便提供对实施例的各示例的深入理解。可以在没有一个或多个特定细节的情况下,或者利用其他方法、部件、材料等来获得实施例。在其他情况下,未详细展示或描述已知的结构、材料或操作,从而使得实施例的各个方面将不会被模糊。
本说明书的框架中对于“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示关于该实施例所描述的特定的配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。结果,可能存在于本说明书的各个点中的诸如“在实施例中”、“在一个实施例中”等短语不一定恰好指代同一个实施例。而且,可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式来对特定构造、结构或特性进行组合。
在此使用的引用仅为了方便而被提供,并且因此未限定实施例的保护范畴或范围。
图1是半导体器件10(诸如集成电路)的示意性图示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造