[发明专利]接触垫结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710200967.8 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107301990B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 江昱维;叶腾豪;邱家荣;林志曜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种接触垫结构，包括交替堆叠的N层绝缘层及N层导电层，且具有N个区域暴露出各个导电层，N≥6，其中所述区域排列成P行×Q列的二维阵列，P≥3、Q≥2，当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层且区域(i,j)，i＝1～P,j＝1～Q，暴露出的导电层为第Lni,j导电层时，
第j行的P个区域及第j+1行的P个区域之间的Ln值差异固定，即Ln1,j-Ln1,j+1＝Ln2,j-Ln2,j+1＝…＝LnP,j-LnP,j+1＝P，并且
在第j行的P个区域中，|Lni,j-Lni+1,j|≤2，并且所述P个区域形成具有凹陷形状或凸起形状的不对称结构；
当P是奇数时，该凸起形状在位于一行的中间的第h个区域处具有中心最高点，或者当P是偶数时，该凸起形状在位于一行的中间或从一行的中间偏移一个区域的第h个区域处具有中心最高点。
2.如权利要求1所述的接触垫结构，其中该凹陷形状在位于一行的中间或从一行的中间偏移一个区域的第h个区域处具有中心最低点。
3.如权利要求2所述的接触垫结构，其中
Lni,j＝N-Tni,j，其中Tni,j为须去除的导电层数，
Tn1,1＝0，
Tnh,1＝P-1，
当Tni,1为P-1-|i-h|×2，i＝h+1～P时，Tni,1为P-|i-h|×2，其中，i＝h-1～2；
当Tni,1为P-1-|i-h|×2，i＝h-1～2时，Tni,1为P-|i-h|×2，其中i＝h+1～P，并且
Tni,j＝Tni,1+(j-1)×P，其中i≥1,j>1。
4.如权利要求1所述的接触垫结构，其中该具有凸起形状的不对称结构配置在一个低于相邻表面的表面上。
5.如权利要求1所述的接触垫结构，其中该具有凸起形状的不对称结构配置在一个与相邻表面共平面的表面上。
6.如权利要求1所述的接触垫结构，其中
Lni,j＝N-Tni,j，其中Tni,j为须去除的导电层数，
Tn1,1＝P-1，
Tnh,1＝0，
当Tni,1为|i-h|×2+1，i＝h+1～P时，Tni,1为|i-h|×2其中，i＝h-1～2，
当Tni,1为|i-h|×2，i＝h+1～P时，Tni,1为|i-h|×2+1，其中，i＝h-1～2并且
Tni,j＝Tni,1+(j-1)×P，其中i≥1,j>1。
7.如权利要求6所述的接触垫结构，配置于一个3D存储器中与字线接触垫相邻的位置。
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