[发明专利]接触垫结构及其制造方法

说明书

一种接触垫结构，包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层，且具有排成二维阵列的N个区域露出各导电层。当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层时，同列的区域中露出的导电层的编号Ln朝一行方向递减，相邻两列的区域之间的Ln值差异固定，同行的区域中Ln由两端向中央渐减，且相邻两行的区域之间的Ln值差异固定。

技术领域

本发明是涉及一种适用于集成电路的结构及其制造方法，特别涉及一种用于多层导电层的电性连接的接触垫结构及其制造方法。

背景技术

三维(3D)元件阵列，例如3D存储器的各层元件的导线都需要电性连接，所以接触区中各层导电层都需露出以供电性连接，从而形成阶梯状的接触垫结构。

为了形成N层元件的阶梯状接触垫结构，先前技术使用N-1个掩模进行N-1次光刻蚀工艺，以分别去除接触区中的N-1个区域中的不同层数的导电层。然而，这种方式非常繁琐，而且因为间距(pitch)小而需要很精确的工艺控制，从而提高了制造成本及工艺难度。

发明内容

本发明提供一种接触垫结构，其在元件有N层的情况下可使用远少于N-1次的光刻蚀工艺来形成。

本发明提供一种接触垫结构的制造方法。

本发明的接触垫结构包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层，且具有N个区域暴露出各个导电层。所述区域排列成P×Q的二维阵列(P≥3、Q≥2)。当所述导电层由下至上编号为第1至第N导电层且区域(i，j)(i＝1～P，j＝1～Q)暴露出的导电层为第Ln_i，j导电层时，

在第i列的Q个区域中，Ln_i，j随j值增加而递减，即Ln_i，1＞Ln_i，2＞...＞Ln_i，Q，

第i列(row)的Q个区域及第i+1列的Q个区域之间的Ln值差异固定，即Ln_i，1-Ln_i+1，1＝Ln_i，2-Ln_i+1，2＝...＝Ln_i，Q-Ln_i+1，Q，

在第j行(column)的P个区域中，Ln_i，j由两端向中央渐减，即Ln_1，j，Ln_P，j＞Ln_2，j，Ln_P-1，j＞...，并且

第j行的P个区域及第j+1行的P个区域之间的Ln值差异固定，即Ln_1，j-Ln_1，j+1＝Ln_2，j-Ln_2，j+1＝...＝Ln_P，j-Ln_P，j+1。

在第一实施例中，在各该区域(i，j)中不存在高于第Ln_i，j导电层的绝缘层或导电层。

在第二实施例中，在暴露出第N导电层之区域以外的各该区域(i，j)中，第Ln_i，j导电层暴露于形成在上层之绝缘层及导电层中的接触窗开口中。

本发明的接触垫结构可配置于3D存储器中。

在另一实施例中，第j行的P个区域及第j+1行的P个区域之间的Ln值差异固定，即Ln_1，j-Ln_1，j+1＝Ln_2，j-Ln_2，j+1＝...＝Ln_P，j-Ln_P，j+1＝P，并且

在第j行的P个区域中，|Ln_i，j-Ln_i+1，j|≤2，且所述P个区域形成具有凹陷形状或凸起形状的不对称结构。