[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设置于衬底基板上的源极、漏极、栅极、栅极绝缘层以及主要由多晶硅组成的有源层，且所述源极和所述漏极、所述栅极位于所述有源层的上方；

所述源极和/或所述漏极在与所述有源层接触的区域具有至少一个通孔，所述有源层在对应所述通孔的区域掺杂有离子，所述有源层在对应所述通孔的区域掺杂的离子浓度大于所述有源层在除所述通孔的区域以外的区域掺杂的离子浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层、所述源极和所述漏极、所述栅极绝缘层、所述栅极从下到上依次设置于所述衬底基板上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和/或所述漏极在与所述有源层接触的位置具有多个通孔。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述栅极之间，且作为氢化处理的氢源的绝缘层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述作为氢化处理的氢源的绝缘层为层间介质层；

或者，所述作为氢化处理的氢源的绝缘层为所述栅极绝缘层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为双栅极结构。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成主要由多晶硅组成的有源层；

在形成有所述有源层的基板上形成栅极绝缘层；

在形成有所述栅极绝缘层的基板上形成栅极；

在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层，并通过构图工艺形成源极、漏极以及位于所述源极和/或所述漏极与所述有源层接触的区域的至少一个通孔；

对形成有所述有源层、所述源极和所述漏极、所述栅极的基板进行离子掺杂，以使得所述有源层在对应所述通孔的区域掺杂有离子。

8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，

在所述栅极绝缘层作为氢化处理的氢源的绝缘层的情况下，所述制备方法还包括：对经过离子掺杂且具有所述栅极绝缘层的基板进行活性化和氢化处理；

或者，在形成所述有源层后、且形成所述栅极之前形成层间介质层，该层间介质层作为氢化处理的氢源的绝缘层的情况下，所述制备方法还包括：

对经过离子掺杂且具有所述层间介质层的基板进行活性化和氢化处理。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。