[发明专利]用于在高性能集成电路中集成锗的方法在审
| 申请号： | 201710201746.2 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107452683A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 保罗·雷蒙德·贝塞尔;索斯藤·利尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠,张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 性能 集成电路 集成 方法 | ||
1.一种用于制造集成电路的方法，其包括：
a)提供包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的衬底，其中所述NMOSFET的沟道区和所述PMOSFET的沟道区包括锗；
b)沉积并图案化掩模层以掩蔽所述PMOSFET的所述沟道区而不掩蔽所述NMOSFET的所述沟道区；
c)钝化所述衬底的暴露表面；
d)去除所述掩模层；以及
e)在所述NMOSFET和所述PMOSFET两者上沉积金属接触层。
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括在d)之后且在e)之前，在所述NMOSFET的所述沟道区和所述PMOSFET的所述沟道区上沉积氧化膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中钝化所述衬底包括在所述NMOSFET的所述沟道区中注入选自硫离子和硒离子的离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其中钝化所述衬底包括使用选自由硫化铵((NH4)2S)和硫醇基自组装单层(SAM)组成的群组中的材料进行衬底处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其中钝化所述衬底包括使用选自由溶解的氯化硒、氟氧化硒和氯氧化硒组成的群组中的液体进行衬底处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其中钝化所述衬底包括将所述衬底暴露于选自硫化氢(H2S)和硒化氢(H2Se)的等离子体气体化学物质。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述PMOSFET和所述NMOSFET包括FINFET。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述PMOSFET和所述NMOSFET包括全包围栅极(GAA)晶体管。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道区包括应变锗。
10.一种用于制造集成电路的方法，其包括：
a)提供包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)和p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的衬底，其中所述NMOSFET的沟道区和所述PMOSFET的沟道区由锗制成；
b)在所述NMOSFET的所述沟道区和所述PMOSFET的所述沟道区上沉积由单一金属材料制成的金属接触层；
c)在所述金属接触层上沉积并图案化掩模层，以掩蔽所述PMOSFET的所述沟道区而不掩蔽所述NMOSFET的所述沟道区；以及
d)钝化所述NMOSFET的所述沟道区，而不钝化所述PMOSFET的所述沟道区。
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