[发明专利]一种枝晶铂修饰的微电极阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种枝晶铂修饰的微电极阵列，用于生物医学领域，其特征在于，所述微电极阵列的电极表面设置有枝晶铂修饰层，所述枝晶铂修饰层中含有枝晶铂，所述枝晶铂为三维枝状结构；所述枝晶铂包括主干和沿着所述主干有序生长的侧枝；所述侧枝围绕所述主干在三维方向生长长度不等的侧枝；所述枝晶铂修饰的微电极阵列采用以下方法制备得到:

(1)提供铂盐溶液，在所述铂盐溶液中加入弱还原剂，混合混匀，得到电沉积溶液；

(2)以铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，待修饰的微电极为工作电极，与所述电沉积溶液形成三电极体系，并与电化学工作站相连接；

(3)在35℃～60℃条件下，电沉积3000s～6000s，所述微电极表面形成枝晶铂修饰层，即得到枝晶铂修饰的微电极阵列；所述电沉积的方式为恒电位沉积、恒电流沉积或脉冲电沉积；所述恒电位沉积的电压为-0.7V～-0.8V，恒电流沉积的电流为-0.8μA～-1.5μA，脉冲电沉积的峰值电流密度为1.5A/cm²～2.5A/cm²。

2.如权利要求1所述的枝晶铂修饰的微电极阵列，其特征在于，所述枝晶铂修饰层的厚度为500nm～10μm。

3.如权利要求1所述的枝晶铂修饰的微电极阵列，其特征在于，所述枝晶铂修饰层中的枝晶铂的长度为200nm～10μm，宽度为50nm～2μm，厚度为5nm～500nm。

4.一种枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供铂盐溶液，在所述铂盐溶液中加入弱还原剂，混合混匀，得到电沉积溶液；

(2)以铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，待修饰的微电极为工作电极，与所述电沉积溶液形成三电极体系，并与电化学工作站相连接；

(3)在35℃～60℃条件下，电沉积3000s～6000s，所述微电极表面形成枝晶铂修饰层，即得到枝晶铂修饰的微电极阵列；所述电沉积的方式为恒电位沉积、恒电流沉积或脉冲电沉积；所述恒电位沉积的电压为-0.7V～-0.8V，恒电流沉积的电流为-0.8μA～-1.5μA，脉冲电沉积的峰值电流密度为1.5A/cm²～2.5A/cm²。

5.如权利要求4所述的枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述铂盐溶液包括硝酸铂、氯化铂、氯铂酸、六氯铂酸铵、氯铂酸钠、六氯铂酸钾和氯亚铂酸钾中的一种或多种；所述电沉积溶液中，所述铂盐的浓度为1mmol/L～20mmol/L。

6.如权利要求4所述的枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，所述弱还原剂包括甲酸、盐酸羟胺、柠檬酸、柠檬酸盐、抗坏血酸、抗坏血酸盐、对苯二酚、邻苯三酚和1,2,4苯三酚中的一种或多种；所述电沉积溶液中，所述弱还原剂的浓度为1mmol/L～20mmol/L。