[发明专利]一种枝晶铂修饰的微电极阵列及其制备方法有效
申请号: | 201710203187.9 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN108652618B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 夏凯;吴天准;孙滨;曾齐 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61B5/263 | 分类号: | A61B5/263;A61B5/283;A61B5/293;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 枝晶铂 修饰 微电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有枝晶铂修饰层。该微电极阵列以枝晶铂为表面修饰层,修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时修饰层具有良好的生物相容性以及机械稳定性,使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法。以电化学沉积的方式,将微电极阵列的表面修饰了一层枝晶铂修饰层,该方法溶液配制简单,且无其他有毒物质如铅等添加剂,条件温和、简单易行。
技术领域
本发明涉及微电极表面修饰技术领域,特别是涉及一种枝晶铂修饰的微电极阵列及其制备方法。
背景技术
神经刺激/记录电极作为最重要的植入式微器件之一,用以刺激神经组织或者记录神经电信号(心电、脑电、皮层电信号等等),广泛用在脑机接口、神经生理、脑科学研究等生命科学领域,是非常重要的研究和诊疗工具。
为了减小植入创伤,同时给临床提供更多的刺激模式以及提高电刺激或记录的分辨率,神经刺激电极/记录正在朝着微型化以及阵列化方向发展—微电极阵列。然而,电极尺寸减小随着则带来电极阻抗增加的问题,并最终影响电极的刺激效率。目前,在不增加电极的几何尺寸的情况下,主要是通过表面修饰的方式增加电极的实际表面积,并改善电极的电化学性能。
具体地,目前微电极阵列表面修饰的方法大致有以下几种:1、在电极表面修饰一层铂黑(Anal.Chem.1987,59,217-218),这种方式能使电极的电化学阻抗减小至少一个数量级,但其机械稳定性非常差,同时其修饰层中含有铅等有毒物质,使其不适用于生物医学领域的应用;2、在电极表面修饰一层铂灰(USPatent 6974533,2005),这种涂层具有很好的机械稳定性且无毒,但其表面粗糙度不够大,使其在超高分辨率电极的表面修饰受到一定的限制;3、经氧化铱(Eng.Med.Biol.Soc.2004,4153-4156)或者导电聚合物(J.Biomed.Mater.Res.2001,56,261-272)修饰的微电极具有极好的电化学性能(如高的电荷注入能力),但这些材料的粘附力较差,在刺激过程中,很容易从电极表面脱落下来。
发明内容
鉴于此,本发明旨在提供一种以枝晶铂修饰层为表面修饰层的微电极阵列,该修饰层与微电极基底的结合力好,微电极表面积大,表面粗糙度大,性能稳定性好,且绿色无毒。
具体地,本发明第一方面提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有枝晶铂修饰层。
本发明中,所述枝晶铂修饰层的厚度为500nm~10μm。不同的厚度会使微电极具有不同大小的表面积。
本发明中,所述枝晶铂修饰层中的枝晶铂的长度为200nm~10μm,宽度为50nm~2μm,厚度为5nm~500nm。
本发明中,所述枝晶铂修饰层通过电沉积的方式设置。通过电沉积方式设置在电极表面的修饰层与电极表面的结合力强,不易脱落,性能非常稳定。
本发明第一方面提供的枝晶铂修饰的微电极阵列,以枝晶铂为表面修饰层,该修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时该修饰层具有良好的生物相容性以及机械稳定性,使其在生物医学领域的应用大大增加。
第二方面,本发明提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法,包括以下步骤:
(1)提供铂盐溶液,在所述铂盐溶液中加入适量的弱还原剂,混合混匀后,得到电沉积溶液;
(2)以铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极,待修饰的微电极为工作电极,与上述电沉积溶液形成三电极体系,并与电化学工作站相连接;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院,未经深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710203187.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。