[发明专利]一种TFT背板的制作方法及TFT背板

权利要求书

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括：

准备基板；

在所述基板上形成第一活性区；其中，所述第一活性区为多晶硅材质；

在所述第一活性区上及未被所述第一活性区覆盖的所述基板上依次沉积氧化物层及氮化物层作为第一绝缘层；

在所述氮化物层上分别形成相互独立的第一栅极及第二栅极，且所述第一栅极位于所述第一活性区上方；

去除所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层；

在所述第一、第二栅极及未被所述氮化物层覆盖的所述氧化物层上沉积第二绝缘层；

在所述第二栅极上方的所述第二绝缘层上形成第二活性区；其中，所述第二活性区与所述第一活性区的材质不同；

为所述第一活性区及所述第二活性区分别制备第一源极、第一漏极及第二源极、第二漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述去除所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层包括：以所述第一、第二栅极为自对准，利用干蚀法去除所述未被所述第一、第二栅极覆盖的氮化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二活性区为氧化物材质。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述准备基板之后，在所述基板上形成第一活性区之前还包括：

形成缓冲层；其中，所述缓冲层包括氮化硅层和/或氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述氮化物为SiN。

6.一种TFT背板，其特征在于，包括：

基板；

第一活性区，设置于所述基板上；其中，所述第一活性区为多晶硅材质；

第一绝缘层，设置于所述第一活性区上及未被所述第一活性区覆盖的所述基板上；其中，所述第一绝缘层包括依次沉积的氧化物层及氮化物层；且所述氮化物层包括相互独立的第一氮化物层及第二氮化物层；

第一、第二栅极，分别设置于所述第一、第二氮化物层上；所述氮化物层只存在于所述第一、第二栅极与所述氧化物层之间；其中，所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层被去除；

第二绝缘层，设置于所述第一、第二栅极及未被所述氮化物层覆盖的所述氧化物层上；

第二活性区，设置于所述第二栅极上方的所述第二绝缘层上；其中，所述第二活性区与所述第一活性区的材质不同；

第一源电极、第一漏电极，分别接触所述第一活性区的两端；

第二源电极、第二漏电极，分别接触所述第二活性区的两端。

7.根据权利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述第二活性区为氧化物材质。

8.根据权利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述第一、第二氮化物层是以所述第一、第二栅极为自对准，利用干蚀法去除所述未被所述第一、第二栅极覆盖的氮化物层而形成的。

9.根据权利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

还包括：设置于所述基板与所述第一活性区间的缓冲层；其中，所述缓冲层包括氮化硅层和/或氧化硅层。

10.根据权利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述氮化物为SiN。