[发明专利]一种TFT背板的制作方法及TFT背板

说明书

本申请公开了一种TFT背板的制作方法及TFT背板。该方法包括：准备基板；在基板上依次形成第一活性区、第一氧化物层、氮化物层、及相互独立的第一、第二栅极；去除第一、第二栅极覆盖不到的氮化物层；沉积第二绝缘层；在第二栅极上方的第二绝缘层上形成与第一活性区的材质不同的第二活性区；分别形成第一、第二源电极、第一、第二漏电极。该方法能够提高该TFT背板的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种TFT背板的制作方法及TFT背板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，它是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED和有源矩阵型OLED(Active MatrixOLED，AMOLED)两大类。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是AMOLED显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。现有的TFT背板具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的有源层的材料也具有多种，例如，在同一TFT背板中可同时采用具有电子迁移率高、电流输出均一性好的多晶硅材料及具有开关速度快和漏电流低的非多晶硅材料分别制作用于驱动的TFT及用于开关的TFT，该TFT背板可根据不同功能需求选择使用不同的TFT。

但本申请的发明人在长期的研发中发现，在目前现有技术中，为提高驱动TFT的可靠性及电性性能，会将该TFT的栅极绝缘层采用氧化物+氮化物的结构，但是在该氮化物沉积以后的该TFT的高温制程中，该氮化物会扩散，会污染开关TFT的非多晶硅材质，从而影响非多晶硅材质的开关TFT的性能，降低整个TFT背板的性能。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板，以减少驱动TFT的氮化物层对开关TFT性能的影响，从而提升该TFT背板的性能。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种TFT背板的制作方法。所述方法包括：准备基板；在所述基板上形成第一活性区；其中，所述第一活性区为多晶硅材质；在所述第一活性区上及未被所述第一活性区覆盖的所述基板上依次沉积氧化物层及氮化物层作为第一绝缘层；在所述氮化物层上分别形成相互独立的第一栅极及第二栅极，且所述第一栅极位于所述第一活性区上方；去除所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层；在所述第一、第二栅极及未被所述氮化物层覆盖的所述第一氧化物层上沉积第二绝缘层；在所述第二栅极上方的所述第二绝缘层上形成第二活性区；其中，所述第二活性区与所述第一活性区的材质不同；为所述第一活性区及所述第二活性区分别制备第一源极、第一漏极及第二源极、第二漏极。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种TFT背板。所述TFT背板包括：基板；第一活性区，设置于所述基板上；其中，所述第一活性区为多晶硅材质；第一绝缘层，设置于所述第一活性区上及未被所述第一活性区覆盖的所述基板上；其中，所述第一绝缘层包括依次沉积的氧化物层及氮化物层；且所述氮化物层包括相互独立的第一氮化物层及第二氮化物层；第一、第二栅极，分别设置于所述第一、第二氮化物层上；所述氮化物层只存在于所述第一、第二栅极与所述氧化物层之间；其中，所述第一、第二栅极覆盖不到的所述氮化物层被去除；第二绝缘层，设置于所述第一、第二栅极及未被所述氮化物层覆盖的所述氧化物层上；第二活性区，设置于所述第二栅极上方的所述第二绝缘层上；其中，所述第二活性区与所述第一活性区的材质不同；第一源电极、第一漏电极，分别接触所述第一活性区的两端；第二源电极、第二漏电极，分别接触所述第二活性区的两端。