[发明专利]用于隔离器的储能电路和频率跳转

权利要求书

1.一种振荡器电路，包括：

储能电路，包括：

具有一对端子的电感器，

第一对晶体管，每个晶体管耦合在电感器的相应端子和沿晶体管的源极-漏极路径的接地参考电压之间，

第一对电容器，每个电容器设置在耦合到第一对晶体管中的相应第一晶体管的电感器端子与第一对晶体管中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中，以及

第二对晶体管，沿着它们的源极至漏极路径在第一对晶体管中的相应晶体管的栅极和参考电压之间耦合，并且具有用于接收控制信号的栅极，

其中，所述控制信号的第一状态激活所述第二对晶体管，所述第二对晶体管的激活使所述第一对晶体管失活，并且禁用所述振荡器电路的振荡。

2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述控制信号的第二状态使所述第二对晶体管失活，所述第二对晶体管的失活激活所述第一对晶体管并且使得能所述振荡器电路的振荡。

3.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括用于提供所述控制信号的控制电路。

4.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述第一对晶体管是DMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述第一对电容器具有基本相等的电容。

6.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中所述第一对晶体管的尺寸基本相同。

7.根据权利要求1所述的振荡器电路，还包括至少一个子储能电路，每个子储能电路包括：

第三对晶体管，每个晶体管耦合在电感器的相应端子和沿着晶体管的源极-漏极路径的参考电压之间，以及

第二对电容器，每个电容器设置在耦合到第三对晶体管中的相应第一晶体管的电感器端子与第三对晶体管中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中。

8.根据权利要求7所述的振荡器电路，其中，每个子储能电路还包括第四对晶体管，沿着其源极到漏极路径在第三对晶体管中的各个晶体管的栅极和参考电压之间耦合，并且具有栅极以接收控制信号。

9.根据权利要求8所述的振荡器电路，其中，所述控制信号的第一状态激活所述第四对晶体管，所述第四对晶体管的激活使所述第三对晶体管失活，以及

控制信号的第二状态使第四对晶体管失活，第四对晶体管的失活激活第三对晶体管。

10.根据权利要求7所述的振荡器电路，其中，每个子储能电路还包括第四对晶体管，沿着其源极至漏极路径在所述第二对电容器中的电容器和所述第三对晶体管中的晶体管的栅极之间耦合，并具有用于接收第二控制信号的栅极。

11.根据权利要求10所述的振荡器电路，其中，所述第二控制信号的第一状态激活所述第四对晶体管，所述第四对晶体管的激活使得所述子储能电路能够振荡，以及

第二控制信号的第二状态使第四对晶体管失活。

12.根据权利要求7所述的振荡器电路，其中，所述第一对和第二晶体管是DMOS晶体管，并且基本相同的尺寸。

13.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述电感器是设置在第一电路系统中的变压器的第一绕组，所述变压器的第二绕组设置在与所述第一电路系统电隔离的第二电路系统中。

14.根据权利要求1所述的振荡器电路，其中，所述电感器包括耦合到电源的中心抽头。