[发明专利]用于隔离器的储能电路和频率跳转

说明书

本公开涉及用于隔离器的储能电路和频率跳转。本公开的实施例可以提供包括储能电路的电路。储能电路可以包括具有一对端子的电感器、第一对晶体管和第一对电容器。每个晶体管可以耦合在电感器的相应端子和沿晶体管的源极‑漏极路径的参考电压之间。每个电容器可以设置在耦合到第一对中的相应第一晶体管的电感器端子与第一对中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中。

技术领域

本公开通常涉及用于在隔离屏障上发射功率并对功率传输施加跳频的电路。

背景技术

一些集成电路包括彼此电隔离的两个或多个电压域。在这样的集成电路中，可能期望将功率从一个域传输到另一个域。将电力从一个域传输到另一个域的现有电路在保持电隔离的同时遭受各种缺点。例如，一些常规的储能电路使用交叉耦合的金属氧化物半导体(MOS)晶体管，这导致效率差和电磁干扰(EMI)性能差。

因此，本发明人认识到在本领域中需要在电隔离域之间有效地传输功率并提高EMI性能的电路和方法。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供一种振荡器电路。该振荡器电路包括储能电路。该储能电路包括：具有一对端子的电感器；第一对晶体管，每个晶体管耦合在电感器的相应端子和沿晶体管的源极-漏极路径的接地参考电压之间；第一对电容器，每个电容器设置在耦合到第一对晶体管中的相应第一晶体管的电感器端子与第一对晶体管中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中，以及第二对晶体管，沿着它们的源极至漏极路径在第一对晶体管中的相应晶体管的栅极和参考电压之间耦合，并且具有用于接收控制信号的栅极。其中，所述控制信号的第一状态激活所述第二对晶体管，所述第二对晶体管的激活使所述第一对晶体管失活，并且禁用所述振荡器电路的振荡。

附图说明

图1示出了根据本公开的实施例的振荡器电路。

图2示出了根据本公开的实施例的振荡器电路。

图3示出了根据本公开的实施例的跳频控制方法。

图4示出了根据本公开的实施例的示例性跳频图。

图5示出了根据本公开的实施例的用于集成电路的拓扑。

具体实施方式

本公开的实施例可以提供包括储能电路的电路。储能电路可以包括具有一对端子的电感器、第一对晶体管和第一对电容器。每个晶体管可以耦合在电感器的相应端子和沿晶体管的源极到漏极路径的参考电压之间。每个电容器可以设置在耦合到第一对中的相应第一晶体管的电感器端子与第一对中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中。

本公开的实施例可以提供用于产生振荡频率的控制器方法。所述方法可以包括在第一时间的情况下：激活所述储能电路的第一对晶体管，每一个晶体管耦合在具有一对端子的电感器的相应端子和沿着所述晶体管的源极至漏极路径的参考电压之间；作为激活的结果，耦合设置在第一对中的第一晶体管的源极或漏极端子与第一对中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中的储能电路的一对电容器中的第一对；并且作为激活的结果，耦合在所述第一对中的所述第二晶体管的源极或漏极端子与所述第一对中的所述第一晶体管的栅极之间的信号路径中的所述一对电容器中的第二对，其中，在电感器的端子处产生具有振荡频率的电压，以在隔离屏障上传输电力。

本公开的实施例可以提供电路。电路可以包括用于在第一时间激活电感器-电容器(LC)储能电路的第一对晶体管的装置，每个晶体管耦合在具有一对端子的电感器的相应端子和沿着源极的参考电压到晶体管的漏极路径。电路还可以包括第一装置，作为激活的结果，耦合设置在第一对的第一晶体管的源极或漏极端子和第一对中的第二晶体管的栅极之间的信号路径中的一对电容器的电容器中的第一个。电路还可以包括第二装置，作为激活的结果，耦合在设置在第一对中的另一个晶体管的源极或漏极端子与第一对中第一晶体管的栅极之间的信号路径中的一对电容器中的第二个之间，其中在电感器的端子处产生具有振荡频率的电压以在隔离屏障上传输电力。