[发明专利]一种负载有TS-1沸石膜的多级孔道复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种负载有TS-1沸石膜的多级孔道复合材料，包含α-Al₂O₃载体和TS-1沸石膜，所述复合材料是具有0.20～2μm的大孔，2～10nm的介孔和0.5～2nm的微孔的整体成型材料，以复合材料总重为基准，TS-1沸石含量为4～15重量％。

2.按照权利要求1所述的复合材料，其中所述复合材料孔容为0.06～0.14cm³/g，比表面积为60～190cm²/g。

3.按照权利要求1所述的复合材料，其中所述的α-Al₂O₃载体具有通透的孔道结构，大孔孔径为0.20～2μm，介孔孔径为2～5nm。

4.一种负载有TS-1沸石膜的多级孔道复合材料的制备方法，包含以下步骤：

(1)将水、有机碱、无机碱混合均匀，得到碱源；

(2)将硅源加入到碱源中，形成水解后的溶液；

(3)将钛源溶解在双氧水中，再加入到步骤(2)的溶液中；

(4)将体系升温除去反应生成的醇，得到晶化液；

(5)将微米级通孔α-Al₂O₃载体浸渍在晶化液中，并置于密闭反应器中进行水热反应；

(6)将载体取出水洗，干燥，焙烧，即得负载有TS-1沸石膜的多级孔道复合材料。

5.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(1)中，所述碱源为有机碱和无机碱的混合水溶液。

6.按照权利要求5所述的制备方法，其中，有机碱选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵或四丙基溴化铵，和/或无机碱选自氢氧化钠或氢氧化钾，和/或碱源中物料的摩尔比是有机碱：水：无机碱＝1：300～1000：0.6～5。

7.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(2)中所述的硅源为正硅酸四烷基酯或三甲基乙氧基硅烷，正硅酸四烷基酯中的烷基碳数为C1～C4。

8.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(3)中所述的钛源为钛酸四烷基酯，其中的烷基碳数为C1～C4。

9.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(4)中，将体系升温至80～95℃除醇1～5h。

10.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(5)中，在超声或负压下，将微米级通孔α-Al₂O₃载体浸渍在晶化液中5～60min后，将载体与晶化液置于密闭反应器，120～220℃下水热反应1～3天。

11.按照权利要求4所述的制备方法，其中，步骤(6)中，将载体水洗后在110℃下干燥12～24h，在400～700℃的空气气氛中焙烧2～8h。

12.按照权利要求4所述的制备方法，其中，所述微米级通孔α-Al₂O₃载体按以下方法制备：将聚环氧乙烷、AlCl₃·6H₂O溶于水和无水乙醇混合溶剂中，加入环氧丙烷，搅拌均匀，将所得溶胶密封，陈化，湿凝胶经过干燥、焙烧，得到微米级通孔α-Al₂O₃整体材料。

13.按照权利要求12所述的制备方法，其中，各反应原料的用量质量比为，聚环氧乙烷：AlCl₃·6H₂O：H₂O：乙醇：环氧丙烷＝0.016～0.023：1：0.9～1.0：0.95～1.05：0.6～0.8。

14.权利要求4-13之一所述方法得到的负载有TS-1沸石膜的多级孔道复合材料。