[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第一导电型的漂移区，其形成于所述半导体基板的上表面侧；

第二导电型的基极区，其形成于所述漂移区的上方；

第一导电型的源极区，其形成于所述基极区的上方；

2个以上的栅极沟槽，其以从所述源极区的上端侧起贯穿所述源极区和所述基极区的方式形成；

接触沟槽，其形成于2个栅极沟槽之间，贯穿所述源极区且其下端配置于所述基极区；以及

第二导电型的突出部，其在与所述接触沟槽的下端对置的区域，以向所述基极区的下端的下侧突出的方式形成，

从所述源极区的上端起到所述突出部的下端为止的深度为3μm以上，

在与深度方向垂直的横向与所述突出部邻接的第一导电型的区域的载流子浓度Nd与所述突出部的载流子浓度Na满足下式：

【数学式1】

0.9≤Wc-WtWt×NdNa≤1.1,]]>

其中，Wc为所述2个栅极沟槽的间隔，Wt为所述接触沟槽的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从所述源极区的上端起到所述突出部的下端为止的深度为15μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，从所述接触沟槽的下端起到所述突出部的下端为止的深度为14.7μm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第二导电型的高浓度区，所述第二导电型的高浓度区以与所述接触沟槽的下端邻接的方式设置，且其杂质浓度比所述基极区的杂质浓度高。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述突出部在所述基极区的下端的宽度为所述接触沟槽的宽度的0.9倍以上且1.1倍以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第一导电型区，所述第一导电型区以与至少一个栅极沟槽的下端和所述突出部邻接的方式形成，并且其杂质浓度比所述漂移区的杂质浓度高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第一导电型的中间区域，所述第一导电型的中间区域以在所述第一导电型区与所述基极区之间与所述栅极沟槽邻接的方式形成，并且其杂质浓度比所述第一导电型区的杂质浓度低。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域的杂质浓度与所述漂移区的杂质浓度相等。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述突出部的下端和所述第一导电型区的下端配置于相同的深度位置。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

栅极绝缘膜，其形成于所述栅极沟槽的内壁；以及

栅极导电部，其在所述栅极沟槽的内部被所述栅极绝缘膜包围，

所述栅极绝缘膜的形成于所述栅极沟槽的下端的部分比形成于所述栅极沟槽的侧壁的部分厚。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，从所述源极区的上端观察，所述突出部的下端配置在比所述栅极沟槽的下端深的位置。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，各个栅极沟槽与所述突出部之间的距离为0.4μm以上。