[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710206347.5 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN107256823B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 齐藤裕树;林航之介;大田垣崇;长岛裕次 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其使用含有氢氟酸及硝酸的处理液对基板进行处理,其特征在于,具备:
储存所述处理液的储存箱、
向所述处理液供给醇的醇供给部及
供给部,
所述供给部在对所述基板进行处理时,将包含通过被供给到所述处理液中的所述醇使所述处理液中的所述硝酸分解而生成的亚硝酸的处理液向所述基板供给,对所述基板实施蚀刻处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述醇供给部向比所述储存箱中所储存的所述处理液的液面更下方的位置供给所述醇。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具备:
将所述供给部与所述储存箱连接的主管路、
设置于该主管路的途中的分支部及
从该分支部连接至所述储存箱的返回管路。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,还具备检测向所述供给部供给的所述处理液中的亚硝酸浓度的浓度传感器,
当通过所述浓度传感器检测出的亚硝酸浓度为规定值以下时,所述醇供给部向所述处理液供给醇。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,具有控制部,所述控制部在通过所述浓度传感器检测出的所述处理液中的亚硝酸浓度比规定值低的情况下,使所述处理液向所述供给部的供给停止,
所述控制部在所述基板的处理中通过所述浓度传感器检测出所述处理液中的亚硝酸浓度比规定值低的情况下,在所述基板的处理结束后,使所述处理液向所述供给部的供给停止。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述醇供给部向所述主管路中的所述储存箱和所述分支部之间供给所述醇。
7.一种基板处理方法,其使用含有氢氟酸及硝酸的处理液对基板进行处理,其特征在于,
将所述处理液储存在储存箱中,
向所述处理液供给醇,
在对所述基板进行处理时,将包含通过被供给到所述处理液中的所述醇使所述处理液中的所述硝酸分解而生成的亚硝酸的处理液向所述基板供给,对所述基板实施蚀刻处理。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,在向所述储存箱内供给所述醇时,在比所述储存箱中所储存的所述处理液的液面更下方的位置处进行供给。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,检测从所述储存箱向所述基板供给的所述处理液的亚硝酸浓度,同时使其一部分返回至所述储存箱中。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于,在所述基板的处理中,当所述处理液中的所述亚硝酸浓度比规定值低时,在所述基板的处理结束后中止所述处理液的供给。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造