[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明的基板处理装置及基板处理方法通过高效地生成亚硝酸，生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提高了蚀刻的效率。该基板处理装置(10)使用含有氢氟酸及硝酸的蚀刻液(L)对半导体晶片(W)进行处理，其具备：储存蚀刻液(L)的储存箱(210)、测量蚀刻液(L)中的亚硝酸的浓度的浓度传感器(256)、向蚀刻液(L)供给IPA而将亚硝酸的浓度维持在规定值以上的醇供给部(310)、将储存箱(210)内的蚀刻液(L)向半导体晶片(W)供给的基板处理单元(100)。

技术领域

本发明涉及向半导体晶片等基板供给处理液并对该基板进行处理的基 板处理装置及基板处理方法。

背景技术

在半导体装置或液晶显示装置等电子零件的湿蚀刻工序中使用的基板 处理装置是公知的(例如，参照专利文献1。)。基板处理装置在半导体晶片 等基板的制造工序中，作为将处于基板表面的应变层或存在于基板表面的 重金属等杂质去除的方法，用药液对基板表面进行蚀刻的方法是公知的。

作为蚀刻方法，例如，使用将氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)及纯水按 规定的配合比混合成的蚀刻液向半导体晶片供给而进行蚀刻的方法。已知 在蚀刻液中有助于蚀刻的成分为亚硝酸(HNO₂)。因此，通过使Si基板(半 导体晶片等)溶解在含有氢氟酸和硝酸的溶液中而生成亚硝酸，从而生成 蚀刻液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-26425号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述的基板处理装置中，当蚀刻液中的亚硝酸浓度较低时，半导体 晶片的蚀刻处理时间变长。因此，足够量的Si基板的溶解是必要的，但Si 基板的溶解需要花费时间，存在生产性降低这样的问题。

于是，本发明的目的在于提供能够高效地生成具有适合蚀刻的亚硝酸 浓度的蚀刻液、提高蚀刻的效率的基板处理装置及基板处理方法。

用于解决课题的手段

为了解决所述课题并达成目的，本发明的基板处理装置及基板处理方 法如下构成。

在使用含有氢氟酸及硝酸的处理液对基板进行处理的基板处理装置 中，具备：储存所述处理液的储存箱、向所述处理液供给醇的醇供给部、 将被供给了所述醇的处理液向所述基板供给的供给部。

在使用含有氢氟酸及硝酸的处理液对基板进行处理的基板处理方法 中，将所述处理液储存在储存箱中，向所述处理液供给醇，将被供给了所 述醇的处理液向所述基板供给。

发明效果

根据该发明，能高效地生成具有适合蚀刻的亚硝酸浓度的蚀刻液，提 高蚀刻的效率。

附图说明

图1是示意性地表示本发明一实施方式的基板处理装置的说明图；

图2是表示该基板处理装置的亚硝酸生成量的说明图；

图3是表示该基板处理装置中的动作流程的说明图；

图4是表示该基板处理装置的变形例的说明图；

图5是表示该基板处理装置的另一变形例的说明图。

具体实施方式

图1是示意性地表示本发明一实施方式的基板处理装置10的说明图， 图2是表示基板处理装置10中的亚硝酸生成量的说明图，图3是表示基板 处理装置10中的动作流程的说明图。另外，图1中W表示半导体晶片(基 板)。