[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201710207077.X | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107275260B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 小林信雄;屉平幸之介;山崎克弘 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,使基板旋转来进行清洗处理,所述基板处理装置具备:
处理室,具备:旋转保持机构,对基板进行保持;处理液供给喷嘴,向保持于所述旋转保持机构的所述基板供给处理液;遮挡板,与保持于所述旋转保持机构的所述基板对置地配置,并向相对于所述基板接触或分离的方向移动;和遮挡板旋转机构,使所述遮挡板旋转;以及
控制装置,以如下方式控制所述遮挡板旋转机构:在未供给所述处理液时将所述遮挡板定位于待机位置,在使所述处理液供给喷嘴移动到所述基板之上而向所述基板供给所述处理液时,不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转,所述待机位置是比所述基板保持于所述旋转保持机构的位置靠上方、并且在向所述处理室搬入所述基板时不会妨碍所述基板的搬入的位置,
所述控制装置进行下述控制:在所述基板被从所述处理室搬出之后,通过所述处理液供给喷嘴朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述遮挡板具有向所述基板供给气体的气体供给喷嘴,
在利用所述处理液进行所述基板的处理的期间,所述控制装置还使所述气体供给喷嘴排出使得所述处理液不向下述喷嘴开口附着的程度的量的气体,该喷嘴开口与所述气体供给喷嘴连通并设于所述遮挡板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述控制装置还在使所述基板干燥时,将所述遮挡板定位于比所述待机位置靠下方、并且接近所述基板保持于所述旋转保持机构的位置的干燥处理位置,
使将所述遮挡板定位于所述干燥处理位置而从所述气体供给喷嘴排出的所述气体的流量比将所述遮挡板定位于所述待机位置而从所述气体供给喷嘴排出的所述气体的流量增量。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
在所述基板的背面设有分别供给所述处理液与气体的背面喷嘴头,在所述基板被从所述处理室搬出之后,利用所述背面喷嘴头向所述遮挡板分别供给所述处理液与所述气体。
5.一种基板处理装置,使基板旋转来进行清洗处理,所述基板处理装置具备:
处理室,具备:旋转保持机构,对基板进行保持;处理液供给喷嘴,向所述基板供给处理液;遮挡板,与保持于所述旋转保持机构的所述基板对置地配置,并向相对于所述基板接触或分离的方向移动;遮挡板旋转机构,使所述遮挡板旋转;和背面喷嘴头,向所述基板的背面分别供给所述处理液与气体;以及
控制装置;
所述控制装置对所述遮挡板旋转机构进行下述控制:在未供给所述处理液时使所述遮挡板定位于待机位置,在使所述处理液供给喷嘴移动到所述基板之上而向所述基板供给所述处理液时,每隔预先设定的第1设定张数,不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转,所述待机位置是比所述基板保持于所述旋转保持机构的位置靠上方、并且在向所述处理室搬入所述基板时不会妨碍所述基板的搬入的位置,
所述控制装置每隔预先设定的第2设定张数进行下述控制:在所述基板被从处理室搬出之后,利用所述背面喷嘴头向所述遮挡板分别供给所述处理液与所述气体,
所述控制装置每隔预先设定的第3设定张数进行下述控制:在所述基板被从所述处理室搬出之后,通过所述处理液供给喷嘴朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
6.一种基板处理方法,在处理室内使基板旋转来进行清洗处理,所述基板处理方法具有:
将所述基板向所述处理室搬入及从所述处理室搬出的工序;
基板保持工序,使搬入所述处理室的所述基板保持于旋转保持机构;
处理液供给工序,从处理液供给喷嘴向被保持的所述基板供给处理液;
遮挡板旋转工序,在未供给所述处理液时使与被所述基板保持工序保持的所述基板对置地配置的遮挡板定位于待机位置,在使所述处理液供给喷嘴移动到所述基板之上而向所述基板供给所述处理液时,不使所述遮挡板从所述待机位置移动而是使所述遮挡板旋转,所述待机位置是比所述基板保持于所述旋转保持机构的位置靠上方、并且在向所述处理室搬入所述基板时不会妨碍所述基板的搬入的位置;以及
遮挡板清洗工序,在所述基板被从所述处理室搬出之后,朝向所述遮挡板的周缘供给所述处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造