[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201710207077.X | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107275260B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 小林信雄;屉平幸之介;山崎克弘 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明提供基板处理装置(1)及基板处理方法,实施方式的基板处理装置(1)是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置,具备:处理室;旋转保持机构,设于上述处理室,对基板进行保持;处理液供给喷嘴,向上述基板供给处理液;遮挡板,与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置,并向相对于上述基板接触或分离的方向移动;遮挡板旋转机构,使上述遮挡板旋转;以及控制装置,在上述基板被供给处理液时,不使上述遮挡板移动,而是使上述遮挡板旋转。本发明能够防止处理基板时的基板污染。
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
基板处理装置例如在半导体等的制造工序中,进行在晶圆、液晶面板等基板上形成电路图案的成膜工序、光学处理。在这些工序中,在主要使用处理液的湿法中,使用单片式的基板处理装置,对基板进行药液处理、清洗处理,干燥处理等(例如,参照日本专利公开公报2000-133625号)。在单片式的基板处理装置中,把持基板的外周面,以与基板的表面正交的轴作为旋转轴使基板旋转,并对该旋转的基板的表面供给处理液(例如蚀刻液、清洗液、纯水)。
在基板处理装置中,在向基板的表面供给处理液之后,在基板旋转的同时,一边将气体向基板的表面供给一边进行干燥处理。在该干燥处理中,使与基板对置配置并能够覆盖基板整个面的大小的遮挡板接近基板的表面,向在基板与遮挡板之间形成的空间供给气体。
在这样的装置中,从向基板的表面供给处理液而进行处理时起,将遮挡板定位于接近基板的位置。
然而,供给到基板的表面的处理液有时会在基板的表面上引发溅液。若产生该现象,则溅液的处理液将附着于接近基板的遮挡板的与基板对置的面。若将附着有该处理液的遮挡板直接使用于干燥处理,则附着于遮挡板的处理液下落到基板的表面,成为产生水印的原因。之前叙述的专利文献中未意识到该课题。
发明内容
本发明的目的在于,能够对使用了处理液的基板良好地进行处理。
实施方式的基板处理装置是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置,具备:旋转保持机构,对基板进行保持;处理液供给喷嘴,向上述基板供给处理液;遮挡板,与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置,并向相对于上述基板接触或分离的方向移动;遮挡板旋转机构,使上述遮挡板旋转;以及控制装置,以如下方式控制上述遮挡板旋转机构:在未供给上述处理液时将上述遮挡板定位于待机位置,在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转。
实施方式的基板处理装置是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置,具备:旋转保持机构,对基板进行保持;处理液供给喷嘴,向上述基板供给处理液;遮挡板,与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置,并向相对于上述基板接触或分离的方向移动;遮挡板旋转机构,使上述遮挡板旋转;背面喷嘴头,向上述基板的背面分别供给上述处理液与气体;以及控制装置;上述控制装置按预先设定的第1设定张数对上述遮挡板旋转机构进行下述控制,该控制为在未供给上述处理液时使上述遮挡板定位于待机位置,在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中,不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转,上述控制装置按预先设定的第2设定张数进行下述控制,该控制为在上述基板被从处理室搬出之后,利用上述背面喷嘴头向上述遮挡板分别供给上述处理液与上述气体,上述控制装置按预先设定的第3设定张数进行下述控制,该控制为在上述基板被从上述处理室搬出之后,通过上述处理液供给喷嘴朝向上述遮挡板的周缘供给上述处理液。
实施方式的基板处理方法是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理工序,具有:基板保持工序,对上述基板进行保持;处理液供给工序,从处理液供给喷嘴向上述基板供给处理液;遮挡板移动工序,使与被上述基板保持工序保持的上述基板对置地配置的遮挡板,向相对于上述基板接触或分离的方向移动;以及遮挡板旋转工序,在未供给上述处理液时使上述遮挡板定位于待机位置,在利用上述处理液供给喷嘴供给上述处理液的过程中不使上述遮挡板从上述待机位置移动而是使上述遮挡板旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造