[发明专利]半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置在审
申请号: | 201710207087.3 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107418143A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 伊藤祐辅;黑田洋史;铃木达;高田涉 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L83/04;C08L91/06;C08K13/06;C08K9/06;C08K7/18;C08K3/36;C08K3/04;C08K3/26;H01L23/29 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳,池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 密封 环氧树脂 组合 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体密封用环氧树脂组合物和半导体装置。
背景技术
为了提高具备接合线的半导体装置中的耐湿可靠性,对用于制造该半导体装置的密封用树脂组合物进行了各种研究。
例如,在专利文献1中记载有一种含有水解性氯量为10~20ppm的联苯型环氧树脂的半导体密封用环氧树脂组合物。在该文献中记载有:利用上述树脂组合物形成密封件,对于提高具备以铜(Cu)为主成分的铜线的半导体装置的耐湿可靠性是有用的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-67694号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
使用铜线制作的半导体装置,在长期间使用该半导体装置的情况下,有时会产生在上述铜线或上述铜线与电极的接合部产生腐蚀的不良情况。因此,本发明的发明人为了使用比铜线难以腐蚀、并且比金线廉价的以银(Ag)为主成分的银线来制作抑制了上述不良情况的产生的半导体装置,进行了深入研究。其结果,本发明的发明人发现:在利用专利文献1中记载的树脂组合物形成具备银线的半导体装置中的密封件的情况下,在高温高湿环境下使用所得到的半导体装置时,依然有可能产生银线腐蚀等不良情况。具体而言,本发明的发明人发现:在高温高湿环境下使用具备银线的以往的半导体装置时,有时该半导体装置在电连接性的观点上产生不良情况。由此,本发明的发明人发现:具备银线的以往的半导体装置,在高温高湿环境下的耐湿可靠性的观点上存在改善的余地。另外确认了上述的不良情况在具备银纯度低的银线的半导体装置中存在更加明显化的趋势。
根据以上,本发明提供使具备以银(Ag)为主成分的接合线的半导体装置的耐湿可靠性提高的密封技术。
用于解决技术问题的手段
根据本发明,提供一种密封用环氧树脂组合物,其为用于在半导体装置中形成密封件的树脂组合物,上述半导体装置通过将搭载在基板上的半导体元件和与上述半导体元件连接且由含有85质量%以上98质量%以下的Ag的银合金构成的接合线密封而形成,上述密封用环氧树脂组合物的特征在于:
含有环氧树脂和固化剂,
上述树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度(Tg)为120℃以上200℃以下。
另外,根据本发明,提供一种半导体装置,其具有:
搭载在基板上的半导体元件;
与上述半导体元件连接且由含有85质量%以上98质量%以下的Ag的银合金构成的接合线;和
将上述半导体元件和上述接合线密封的密封件,
上述密封件含有上述密封用环氧树脂组合物的固化物。
发明效果
根据本发明,能够提供使具备以银(Ag)为主成分的接合线的半导体装置的耐湿可靠性提高的密封技术。
附图说明
上述的目的和其它的目的、特征和优点通过以下说明的优选的实施方式和附随于其的以下的附图将进一步变得清楚。
图1是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的图。
具体实施方式
以下,使用附图对实施方式进行说明。另外,在所有的附图中,对同样的构成要素标注同样的符号,适当省略说明。
<密封用环氧树脂组合物>
本实施方式的密封用环氧树脂组合物(以下,也称为“本树脂组合物”)为用于在半导体装置中形成密封件的树脂组合物,上述半导体装置通过将搭载在基板上的半导体元件和与上述半导体元件连接且由含有85质量%以上98质量%以下的Ag的银合金构成的接合线密封而形成。该树脂组合物含有环氧树脂和固化剂,该树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度(Tg)为120℃以上200℃以下。由此,能够改善具备由含有85质量%以上98质量%以下的Ag的银合金构成的接合线的半导体装置在高温高湿环境下的耐湿可靠性。因此,作为结果,对于具备由含有85质量%以上98质量%以下的Ag的银合金构成的接合线的半导体装置,可改善高温高湿环境下的电连接可靠性。此外,在本实施方式中,半导体装置的耐湿可靠性例如能够通过HAST试验(Highly Accelerated Stress Test:高加速应力试验)等进行评价。对使用本树脂组合物制作的半导体装置,如后面在实施例的部分中说明的那样,即使在130℃、85%RH、施加电压20V、240小时的条件下实施了HAST试验的情况下,也确认在该半导体装置中没有产生电连接性的不良。
即,本树脂组合物采用了同时满足以下的2个条件的构成。
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