[发明专利]一种闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离区和有源区，所述隔离区为所述半导体衬底的凹槽，所述有源区包括栅极区、源极区和漏极区，所述栅极区上具有层叠绝缘设置的浮栅和控制栅；

去除所述源极区两侧的隔离区中填充的绝缘物质；

在去除隔离区中填充的绝缘物质之后，在所述源极区以及源极区两侧的隔离区注入掺杂离子；

在所述源极区以及源极区两侧的隔离区注入掺杂离子之后，在所述隔离区、以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上形成隔离层；以及

在所述源极区以及所述源极区两侧的隔离区形成掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述源极区注入掺杂离子之前，包括：

采用干法刻蚀工艺去除所述隔离区中填充的绝缘物质。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述隔离区、以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上形成隔离层包括：

在所述隔离区的凹槽中、以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁及表面上形成隔离膜层；

去除所述控制栅上表面的隔离膜层以使所述控制栅的上表面露出。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述源极区以及所述源极区两侧的隔离区形成掺杂多晶硅层包括：

在所述半导体衬底上形成掺杂多晶硅膜层；

采用平坦化工艺使所述掺杂多晶硅膜层与所述隔离层和所述控制栅的上表面平齐；

去除所述漏极区以及所述漏极区两侧的隔离区上形成的所述掺杂多晶硅膜层，使所述漏极区的表面露出。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述漏极区以及所述漏极区两侧的隔离区上的掺杂多晶硅膜层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离层为依次形成的氧化物层和氮化物层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，采用高温氧化工艺在所述隔离区以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上形成所述氧化物层；

采用炉管工艺在所述氧化物层表面形成所述氮化物层。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为所述氮化物层的厚度为

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积工艺形成所述掺杂多晶硅层。

10.一种闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离区和有源区，所述隔离区为所述半导体衬底的凹槽，所述有源区包括栅极区、源极区和漏极区，所述栅极区上具有层叠绝缘设置的浮栅和控制栅；

源极区，注入有掺杂离子；

隔离层，形成于所述隔离区的凹槽中以及所述层叠绝缘设置的浮栅和控制栅的侧壁上；

掺杂多晶硅层，形成于所述源极区以及所述源极区两侧的隔离区上，所述掺杂多晶硅层填充所述源极区两侧的隔离区的凹槽，

所述源极区两侧的隔离区包括注入有掺杂离子的部分。