[发明专利]晶片抛光系统有效
申请号: | 201710208706.0 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN108262691B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 白承元;李哉瞟 | 申请(专利权)人: | 爱思开矽得荣株式会社 |
主分类号: | B24B57/02 | 分类号: | B24B57/02;B24B37/04;B24B53/017 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 茅翊忞 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 抛光 系统 | ||
公开了晶片抛光系统。晶片抛光系统可包括:抛光单元;安装在抛光单元上并分配浆料流入抛光单元内用来晶片抛光的浆料分配单元;连接到浆料分配单元并储存浆料的浆料储罐;连接到抛光单元和浆料储罐的浆料泵,以将浆料从浆料储罐传输到抛光单元;第一循环管线,其一侧连接到浆料储罐;第二循环管线,其一侧连接到第一循环管线的另一侧,而另一侧连接到浆料分配单元;以及连接到第二循环管线的清洁液体供应单元,用来供应流过第二循环管线的清洁液体。
本申请要求对2017年1月3日在韩国提交的韩国专利申请第10‐2017‐0000828号的优先权益;本文就像完全在这里阐述的那样,以参见方式引入其全部内容。
技术领域
本发明实施例涉及晶片抛光系统。
背景技术
近年来,半导体的高集成度已经提高了每单位面积上信息的处理和储存容量。这导致对大直径的半导体晶片、电路连线宽度的小型化以及多层布线的需求。为了在半导体晶片上形成多层布线,要求晶片有高度的平整性,为了达到如此高度的平整性,需要有晶片平整的处理工艺。
晶片平整处理工艺之一便是晶片抛光工艺过程。晶片抛光工艺过程是用抛光垫来抛光晶片上和下表面的步骤。使用抛光系统来实施晶片抛光工艺过程,该抛光系统具有抛光单元,抛光单元设置有上板、下板和对抛光单元提供抛光浆料的装置。
用来对抛光单元提供浆料的连接到抛光单元的管子可设置在抛光系统内。然而,浆料内所含的研磨颗粒会粘附到管子内壁上而堵塞管子。
此外,当如此粘附的浆料掉落下来并流入抛光单元内时,可造成待要抛光的物体和抛光单元的损坏。因此,需要有解决该问题的方案。
发明内容
在一个实施例中,晶片抛光系统可包括:抛光单元;安装在抛光单元上并分配浆料流入抛光单元内用来抛光晶片的浆料分配单元;连接到浆料分配单元并储存浆料的浆料储罐;连接到抛光单元和浆料储罐的浆料泵,以将浆料从浆料储罐传输到抛光单元;第一循环管线,其中,一侧连接到浆料储罐;第二循环管线,其中,一侧连接到第一循环管线的另一侧,而另一侧连接到浆料分配单元;以及连接到第二循环管线的清洁液体供应单元,用来供应流过第二循环管线的清洁液体。
在另一个实施例中,晶片抛光系统可包括:抛光单元;安装在抛光单元上并分配浆料流入抛光单元内用来抛光晶片的浆料分配单元;连接到浆料分配单元并储存浆料的浆料储罐;连接到抛光单元和浆料储罐的浆料泵,以将浆料从浆料储罐传输到抛光单元;第一循环管线,其中,一侧连接到浆料储罐;第二循环管线,其中,一侧连接到第一循环管线的另一侧,而另一侧连接到浆料分配单元;连接到第二循环管线的清洁液体供应单元,用来供应流过第二循环管线的清洁液体;设置在第二循环管线内的流动控制阀;设置在第二循环管线内的流量计;电气地连接到流动控制阀和流量计的控制器;电气地连接到控制器的报警器;以及连接到第二循环管线的排放管线,用来排放残存在第二循环管线内的清洁液体。
附图说明
参照附图,可详细地描述各种布置结构和实施例,在附图中相同的附图标记表示相同的元件,附图中:
图1是显示一个实施例的抛光系统的视图。
图2是显示图1中晶片抛光工艺过程中用于晶片抛光的浆料循环的视图。
图3是显示图1中抛光系统清洁过程中清洁液体和用于晶片抛光的浆料流动的视图。
图4是解释一个实施例的抛光系统的控制和报警的视图。
具体实施方式
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